Choice of metadata Статьи
Page 1, Results: 6
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
63.3
Ж 88
Жұмағұлов, Қ. Т.
Ғұндардың Галлия (Франция) жеріндегі шайқасы [Текст] / Қ.Т. Жұмағұлов // Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университетінің хабаршысы. - 2001. - №: 1(20). - Б. 85-98. - (тарих сериясы)
ББК 63.3
Рубрики: История
Кл.слова (ненормированные):
Жумагулов -- Жұмағұлов -- ғұн -- Галлия -- франция
Аннотация: Мақалада ежелгі ғұндардың Галлия (Франция) жеріндегі шайқасы туралы жазылған.
Держатели документа:
БҚМУ
Ж 88
Жұмағұлов, Қ. Т.
Ғұндардың Галлия (Франция) жеріндегі шайқасы [Текст] / Қ.Т. Жұмағұлов // Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университетінің хабаршысы. - 2001. - №: 1(20). - Б. 85-98. - (тарих сериясы)
Рубрики: История
Кл.слова (ненормированные):
Жумагулов -- Жұмағұлов -- ғұн -- Галлия -- франция
Аннотация: Мақалада ежелгі ғұндардың Галлия (Франция) жеріндегі шайқасы туралы жазылған.
Держатели документа:
БҚМУ
2.
Подробнее
2
М 23
Манаков, С. М.
Исследование эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля [Текст] / С. М. Манаков // Әл-Фараби атындағы қазақ ұлттық университетінің хабаршысы=Вестник Казахского национального университета им. аль-Фараби. - 2015. - №1(52). - С. 23-29. - (Серия физическая)
ББК 2
Рубрики: Естественные науки
Кл.слова (ненормированные):
арсенид -- эпитаксильные пленки -- электронная микроскопия -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: В статье ведется работа по исследованию эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля
Держатели документа:
ЗКГУ им. М. Утемисова
М 23
Манаков, С. М.
Исследование эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля [Текст] / С. М. Манаков // Әл-Фараби атындағы қазақ ұлттық университетінің хабаршысы=Вестник Казахского национального университета им. аль-Фараби. - 2015. - №1(52). - С. 23-29. - (Серия физическая)
Рубрики: Естественные науки
Кл.слова (ненормированные):
арсенид -- эпитаксильные пленки -- электронная микроскопия -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: В статье ведется работа по исследованию эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля
Держатели документа:
ЗКГУ им. М. Утемисова
3.
Подробнее
24. 57
Д 36
Дергачева , М. Б.
Электроосаждение селенида галлия [Текст] / М. Б. Дергачева , Жанабаева А.К., В. И. Яскевич // Қазақстан Республикасының ұлттық ғылым академиясының Хабаршысы Вестник национальной академии наук Республики Казахстан Bulletin of national academy of sciences of the republic of Kazakhstan. - 2018. - №3. - С. 260 - 268
ББК 24. 57
Рубрики: Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение -- селенида -- галлия -- введение -- методы исследования -- вольтамперные измерения на дисковом спеклоуглеродном электроде -- электроосаждение селенида галлия в сернокислом электролите -- температура обработка пленок -- выводы
Аннотация: Проведено электрохимическое осаждение селенида галлия на стеклоуглеродном электроде из сернокислых электролитов при постоянном потенциале. Исследованы циклические вольтамперные кривые стеклоуглеродного электрода в двух различных электролитах: сернокислом и цитратном буферном растворе, содержащих ионы галлия и селена. Исследовано вляние изменения концентрации ионов галлия и потенциала осаждения на состав получаемого осадка.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Жанабаева А.К.
Яскевич, В.И.
Д 36
Дергачева , М. Б.
Электроосаждение селенида галлия [Текст] / М. Б. Дергачева , Жанабаева А.К., В. И. Яскевич // Қазақстан Республикасының ұлттық ғылым академиясының Хабаршысы Вестник национальной академии наук Республики Казахстан Bulletin of national academy of sciences of the republic of Kazakhstan. - 2018. - №3. - С. 260 - 268
Рубрики: Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение -- селенида -- галлия -- введение -- методы исследования -- вольтамперные измерения на дисковом спеклоуглеродном электроде -- электроосаждение селенида галлия в сернокислом электролите -- температура обработка пленок -- выводы
Аннотация: Проведено электрохимическое осаждение селенида галлия на стеклоуглеродном электроде из сернокислых электролитов при постоянном потенциале. Исследованы циклические вольтамперные кривые стеклоуглеродного электрода в двух различных электролитах: сернокислом и цитратном буферном растворе, содержащих ионы галлия и селена. Исследовано вляние изменения концентрации ионов галлия и потенциала осаждения на состав получаемого осадка.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Жанабаева А.К.
Яскевич, В.И.
4.
Подробнее
24
С 38
Синтез и структура тетрахлор-галлат 3,5-диамино-1,2,4-триазолия [Текст] / Т. В. Кудаярова [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология». - 2019. - Т.62(4). - С. 121-127
ББК 24
Рубрики: Химические науки
Кл.слова (ненормированные):
3,5-диамино-1Н-1,2,4-триазол -- гуаназол -- хлорид галлия -- комплексное соединение -- рентгеноструктурный анализ -- синтез -- химия
Аннотация: В работе обсуждается синтез и структура комплексного соединения на основе 3,5-диамино-1H-1,2,4-триазола (гуаназола) с ионами галлия, образующегося при взаимодействии безводного хлорида галлия (III) и гуаназола в среде осушенного метанола. После отгонки растворителя под вакуумом образовавшийся продукт промывали гексаном, ацетоном, целевое соединение экстрагировали ацетонитрилом, и медленным испарением последнего при комнатной температуре в течение трех дней получили кристаллы бежевого цвета, которые были охарактеризованы методами ИК спектроскопии, элементного анализа, масс-спектрометрии и данными рентгеноструктурного анализа. Комплексный галлат состава - C2H6N5+∙[GaCl4]- существует в виде двух кристаллографически независимых катионов и двух анионов. Комплексное соединение кристаллизуется в центросимметричной пространственной группе моноклинной сингонии. Тетрахлорогаллат-анион представляет собой слегка искаженный тетраэдр, что характерно для структур этого типа. Катионы 1,2,4-триазолия селективно протонированы по атомам N4 и N4A, однако местом преимущественной локализации положительного заряда являются атомы N2 и N2A. Помимо электростатического взаимодействия разноименно заряженных ионов важную роль в стабилизации кристаллической упаковки играет развитая система водородных связей: практически все атомы водорода и хлора задействованы в ее образовании. Каждый из кристаллографически независимых катионов образует центросимметричный димер за счет межмолекулярной водородной связи N2–H2···N3 и N2A–H2A···N3A. Полный набор рентгеноструктурных данных депонирован в Кембриджский банк структурных данных соединений - Cambridge Structural Database (депонент CCDC 1894815) и может быть свободно получен по запросу на сайте www.ccdc.cam.ac.uk/data_request/cif.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кудаярова, Т.В.
Данилова, Е.А.
Питева, Ю.А.
Мочалина, К.Е.
Дмитриев, М.В.
С 38
Синтез и структура тетрахлор-галлат 3,5-диамино-1,2,4-триазолия [Текст] / Т. В. Кудаярова [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология». - 2019. - Т.62(4). - С. 121-127
Рубрики: Химические науки
Кл.слова (ненормированные):
3,5-диамино-1Н-1,2,4-триазол -- гуаназол -- хлорид галлия -- комплексное соединение -- рентгеноструктурный анализ -- синтез -- химия
Аннотация: В работе обсуждается синтез и структура комплексного соединения на основе 3,5-диамино-1H-1,2,4-триазола (гуаназола) с ионами галлия, образующегося при взаимодействии безводного хлорида галлия (III) и гуаназола в среде осушенного метанола. После отгонки растворителя под вакуумом образовавшийся продукт промывали гексаном, ацетоном, целевое соединение экстрагировали ацетонитрилом, и медленным испарением последнего при комнатной температуре в течение трех дней получили кристаллы бежевого цвета, которые были охарактеризованы методами ИК спектроскопии, элементного анализа, масс-спектрометрии и данными рентгеноструктурного анализа. Комплексный галлат состава - C2H6N5+∙[GaCl4]- существует в виде двух кристаллографически независимых катионов и двух анионов. Комплексное соединение кристаллизуется в центросимметричной пространственной группе моноклинной сингонии. Тетрахлорогаллат-анион представляет собой слегка искаженный тетраэдр, что характерно для структур этого типа. Катионы 1,2,4-триазолия селективно протонированы по атомам N4 и N4A, однако местом преимущественной локализации положительного заряда являются атомы N2 и N2A. Помимо электростатического взаимодействия разноименно заряженных ионов важную роль в стабилизации кристаллической упаковки играет развитая система водородных связей: практически все атомы водорода и хлора задействованы в ее образовании. Каждый из кристаллографически независимых катионов образует центросимметричный димер за счет межмолекулярной водородной связи N2–H2···N3 и N2A–H2A···N3A. Полный набор рентгеноструктурных данных депонирован в Кембриджский банк структурных данных соединений - Cambridge Structural Database (депонент CCDC 1894815) и может быть свободно получен по запросу на сайте www.ccdc.cam.ac.uk/data_request/cif.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кудаярова, Т.В.
Данилова, Е.А.
Питева, Ю.А.
Мочалина, К.Е.
Дмитриев, М.В.
5.
Подробнее
24
Т 34
Термические превращения в системах Ga-MoО3 [Текст] / Л.Н. Бугерко [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология». - 2019. - Т.62(5). - С. 45-49
ББК 24
Рубрики: Химические науки
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные пленки -- галлий -- оксид молибдена -- системы галлий – оксид молибдена -- энергетические зоны -- термические превращения -- химия
Аннотация: ^*Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ga-MoO3 в зависимости от толщины пленок Ga (d = 2–96 нм) и MoO3 (d = 7–62 нм), температуры (473 - 773 К) и времени термообработки. Показано, что спектры поглощения систем Ga-MoO3 в коротковолновой области спектра (λ = 300–500 нм) по мере уменьшения толщины пленок галлия определяются поглощением пленок MoO3, а в длинноволновой области спектра (λ = 500–1100 нм) проявляются полосы поглощения пленок галлия. Рассчитаны, построены и сопоставлены кинетические зависимости степени превращения пленок MoO3 и галлия. Установлено, что увеличение толщины пленок MoO3 в системах Ga-MoO3 при постоянной температуре обработки приводит к уменьшению степени превращения центра [e∙(V_a )^(++)∙e].
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Бугерко, Л.Н.
Бин, С.В.
Суровой, Э.П.
Суровая, В.Э.
Т 34
Термические превращения в системах Ga-MoО3 [Текст] / Л.Н. Бугерко [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология». - 2019. - Т.62(5). - С. 45-49
Рубрики: Химические науки
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные пленки -- галлий -- оксид молибдена -- системы галлий – оксид молибдена -- энергетические зоны -- термические превращения -- химия
Аннотация: ^*Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ga-MoO3 в зависимости от толщины пленок Ga (d = 2–96 нм) и MoO3 (d = 7–62 нм), температуры (473 - 773 К) и времени термообработки. Показано, что спектры поглощения систем Ga-MoO3 в коротковолновой области спектра (λ = 300–500 нм) по мере уменьшения толщины пленок галлия определяются поглощением пленок MoO3, а в длинноволновой области спектра (λ = 500–1100 нм) проявляются полосы поглощения пленок галлия. Рассчитаны, построены и сопоставлены кинетические зависимости степени превращения пленок MoO3 и галлия. Установлено, что увеличение толщины пленок MoO3 в системах Ga-MoO3 при постоянной температуре обработки приводит к уменьшению степени превращения центра [e∙(V_a )^(++)∙e].
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Бугерко, Л.Н.
Бин, С.В.
Суровой, Э.П.
Суровая, В.Э.
6.
Подробнее
22
B92
Buktukov, N. S
Experimental research of new generation solar cells [Текст] / N.S Buktukov // Доклады Национальной Академии наук Республики Казахстан. - 2019. - №5. - С. 5-14
ББК 22
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
cолнечная батарея -- голографический концентратор -- фотоэлементы -- технико-экономичес-кие показатели солнечных батарей
Аннотация: Проведены экспериментальные работы с физической моделью солнечной фотоэлектрической батареи с весьма высокой технико-экономической эффективностью за счет диспергирования и фокусировки солнечного излучения по длинам волн и установки на каждую длину волны различные фотоэлементы. Экспериментальные данные и их обработка показала, что мощность предлагаемой конструкции солнечной батареи на уровне фотопреобразователей выше по сравнению с использованием арсенида галлия по традиционной технологии в 1,46 – 1,48 раза, а монокристаллического кремния – в 4,15-4,2 раза. При этом для предлагаемых солнечных батарей требуется многократно меньше указанных фотоэлементов, что существенно повышает экономическую эффективность.
Держатели документа:
ЗКГУ
B92
Buktukov, N. S
Experimental research of new generation solar cells [Текст] / N.S Buktukov // Доклады Национальной Академии наук Республики Казахстан. - 2019. - №5. - С. 5-14
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
cолнечная батарея -- голографический концентратор -- фотоэлементы -- технико-экономичес-кие показатели солнечных батарей
Аннотация: Проведены экспериментальные работы с физической моделью солнечной фотоэлектрической батареи с весьма высокой технико-экономической эффективностью за счет диспергирования и фокусировки солнечного излучения по длинам волн и установки на каждую длину волны различные фотоэлементы. Экспериментальные данные и их обработка показала, что мощность предлагаемой конструкции солнечной батареи на уровне фотопреобразователей выше по сравнению с использованием арсенида галлия по традиционной технологии в 1,46 – 1,48 раза, а монокристаллического кремния – в 4,15-4,2 раза. При этом для предлагаемых солнечных батарей требуется многократно меньше указанных фотоэлементов, что существенно повышает экономическую эффективность.
Держатели документа:
ЗКГУ
Page 1, Results: 6