Электронный каталог


 

Choice of metadata Статьи

Page 1, Results: 3

Report on unfulfilled requests: 0

22.3
Б 43


    Белые карлики с учетом ядерного состава в ОТО [Текст] / К. A. Бошкаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 4-12. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
белые карлики -- уравнение состояния Салпитера -- общая теория относительности -- каталоги SDSS DR 4, -- 10 и 12 -- теория относительности -- масса -- радиус -- центральная плотность -- давление -- уравнение Толмана-Оппенгеймера-Волкова -- Гистограмма
Аннотация: В этой работе статические холодные белые карлики исследуются с помощью уравнения состояния Салпитера в рамках общей теории относительности. Вычислены основные параметры белых карликов, такие как масса, радиус, центральная плотность и давление, решая уравнение Толмана-Оппенгеймера-Волкова с использованием уравнения состояния Салпитера. Кроме того, анализируются характеристики белых карликов из Sloan Digital Sky Survey Data Releases 4, 10 и 12. Гистограмма и Гауссовское распределение массы и радиуса построены для этих каталогов. Рассчитаны максимальные, минимальные и средние значения логарифма поверхностной гравитации, эффективной температуры, массы и радиуса. Теоретические соотношения масс- радиусов сравниваются с данными наблюдений. В итоге, было показано, что учет ядерного состава, порога нейтронизации, поправок Томаса-Ферми и кулоновских взаимодействий очень важен для описания некоторых белых карликов в каталогах Sloan Digital Sky Survey Data Releases 10 и 12.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Бошкаев, К.A.
Жами, Б.A.
Калымова, Ж.А.
Бришева, Ж.Н.
Таукенова, А.С.
Аймуратов, Е.К.

Белые карлики с учетом ядерного состава в ОТО [Текст] / К. A. Бошкаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65).- С.4-12

1.

Белые карлики с учетом ядерного состава в ОТО [Текст] / К. A. Бошкаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65).- С.4-12


22.3
Б 43


    Белые карлики с учетом ядерного состава в ОТО [Текст] / К. A. Бошкаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 4-12. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
белые карлики -- уравнение состояния Салпитера -- общая теория относительности -- каталоги SDSS DR 4, -- 10 и 12 -- теория относительности -- масса -- радиус -- центральная плотность -- давление -- уравнение Толмана-Оппенгеймера-Волкова -- Гистограмма
Аннотация: В этой работе статические холодные белые карлики исследуются с помощью уравнения состояния Салпитера в рамках общей теории относительности. Вычислены основные параметры белых карликов, такие как масса, радиус, центральная плотность и давление, решая уравнение Толмана-Оппенгеймера-Волкова с использованием уравнения состояния Салпитера. Кроме того, анализируются характеристики белых карликов из Sloan Digital Sky Survey Data Releases 4, 10 и 12. Гистограмма и Гауссовское распределение массы и радиуса построены для этих каталогов. Рассчитаны максимальные, минимальные и средние значения логарифма поверхностной гравитации, эффективной температуры, массы и радиуса. Теоретические соотношения масс- радиусов сравниваются с данными наблюдений. В итоге, было показано, что учет ядерного состава, порога нейтронизации, поправок Томаса-Ферми и кулоновских взаимодействий очень важен для описания некоторых белых карликов в каталогах Sloan Digital Sky Survey Data Releases 10 и 12.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Бошкаев, К.A.
Жами, Б.A.
Калымова, Ж.А.
Бришева, Ж.Н.
Таукенова, А.С.
Аймуратов, Е.К.

22.3
Э 45


    Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.

Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64).- С.32-38

2.

Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64).- С.32-38


22.3
Э 45


    Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.

24.5
Э 45


    Электронная структура и проводимость углеводородных пленок, полученных в плазменных разрядах токамака Т-10 [Текст] / Г. А. Соколина [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2018. - Т.61(11). - С. 81-87
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия. Химическая физика

Кл.слова (ненормированные):
аморфные углеводородные пленки -- токамак -- плазменные разряды -- электронная структура -- коэффициенты преломления и поглощения -- прыжковая проводимость -- энергия активации проводимости -- химия
Аннотация: В работе изучены аморфные углеводородные пленки на кремниевых подложках, полученные в камере токамака Т-10, имеющего углеродные диафрагмы, пространственно ограничивающие дейтериевую плазму. С помощью методов спектрофотометрии, эллипсометрии, рентгеновской фотоэмиссионной и рентгеновской электронной оже-спектроскопии установлено, что коэффициенты преломления и поглощения пленок, а также параметры их электронной структуры, такие как величина запрещенной зоны, доля sp2-гибридизированных атомов углерода и химический состав примесей зависят от характеристик разряда в токамаке. Показано, что осажденные пленки относятся к высокоомным диэлектрикам и могут быть разделены по оптическим свойствам на твердые или мягкие аморфные углеводородные пленки в зависимости от типа разряда токамака: импульсного рабочего разряда – для твердых пленок или длительного низкоэнергетичного чистящего разряда – для мягких пленок. При этом проводимость твердых пленок меньше, чем мягких, что соответствует меньшей доле sp2-состояний углерода и более высокой величине запрещенной зоны в этих пленках. Проведено измерение вольтамперных характеристик и температурной зависимости проводимости на постоянном токе для твердых и мягких пленок. Показано, что в интервале температур 293–550 К проводимость определяется механизмом прыжковой проводимости по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми и границ разрешенных зон. В пользу механизма прыжковой проводимости указывает также полученный при комнатной температуре степенной характер проводимости на переменном токе со значением показателя степени, близким к 0,8. Измерение вольтамперных характеристик и температурной зависимости проводимости твердых и мягких пленок показало существенное различие в энергии активации проводимости и величине проводимости при повышенной температуре. Установленные зависимости проводимости на постоянном токе и величины энергии активации от параметров разрядов могут быть использованы в качестве диагностических реперов различных типов плазменных разрядов в токамаке. Данные по электропроводности пленок анализируются в рамках представлений об электронной структуре аморфных некристаллических материалов.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Соколина, Г.А.
Архипов, И.И.
Свечников, Н.Ю.
Грашин, С.А.

Электронная структура и проводимость углеводородных пленок, полученных в плазменных разрядах токамака Т-10 [Текст] / Г. А. Соколина [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2018. Т.61(11).- С.81-87

3.

Электронная структура и проводимость углеводородных пленок, полученных в плазменных разрядах токамака Т-10 [Текст] / Г. А. Соколина [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2018. Т.61(11).- С.81-87


24.5
Э 45


    Электронная структура и проводимость углеводородных пленок, полученных в плазменных разрядах токамака Т-10 [Текст] / Г. А. Соколина [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2018. - Т.61(11). - С. 81-87
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия. Химическая физика

Кл.слова (ненормированные):
аморфные углеводородные пленки -- токамак -- плазменные разряды -- электронная структура -- коэффициенты преломления и поглощения -- прыжковая проводимость -- энергия активации проводимости -- химия
Аннотация: В работе изучены аморфные углеводородные пленки на кремниевых подложках, полученные в камере токамака Т-10, имеющего углеродные диафрагмы, пространственно ограничивающие дейтериевую плазму. С помощью методов спектрофотометрии, эллипсометрии, рентгеновской фотоэмиссионной и рентгеновской электронной оже-спектроскопии установлено, что коэффициенты преломления и поглощения пленок, а также параметры их электронной структуры, такие как величина запрещенной зоны, доля sp2-гибридизированных атомов углерода и химический состав примесей зависят от характеристик разряда в токамаке. Показано, что осажденные пленки относятся к высокоомным диэлектрикам и могут быть разделены по оптическим свойствам на твердые или мягкие аморфные углеводородные пленки в зависимости от типа разряда токамака: импульсного рабочего разряда – для твердых пленок или длительного низкоэнергетичного чистящего разряда – для мягких пленок. При этом проводимость твердых пленок меньше, чем мягких, что соответствует меньшей доле sp2-состояний углерода и более высокой величине запрещенной зоны в этих пленках. Проведено измерение вольтамперных характеристик и температурной зависимости проводимости на постоянном токе для твердых и мягких пленок. Показано, что в интервале температур 293–550 К проводимость определяется механизмом прыжковой проводимости по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми и границ разрешенных зон. В пользу механизма прыжковой проводимости указывает также полученный при комнатной температуре степенной характер проводимости на переменном токе со значением показателя степени, близким к 0,8. Измерение вольтамперных характеристик и температурной зависимости проводимости твердых и мягких пленок показало существенное различие в энергии активации проводимости и величине проводимости при повышенной температуре. Установленные зависимости проводимости на постоянном токе и величины энергии активации от параметров разрядов могут быть использованы в качестве диагностических реперов различных типов плазменных разрядов в токамаке. Данные по электропроводности пленок анализируются в рамках представлений об электронной структуре аморфных некристаллических материалов.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Соколина, Г.А.
Архипов, И.И.
Свечников, Н.Ю.
Грашин, С.А.

Page 1, Results: 3

 

All acquisitions for 
Or select a month