Choice of metadata Статьи
Page 1, Results: 1
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
22.3
Э 45
Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.
Э 45
Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.
Page 1, Results: 1