Choice of metadata Статьи
Page 2, Results: 24
Report on unfulfilled requests: 0
11.
Подробнее
22.3
Б 12
Бабенко, С. П.
Углубленное рассмотрение явления излучения в курсе общей физики высших технических учебных заведений [Текст] / С. П. Бабенко, А. В. Бадьин // Alma mater . - Москва, 2018. - №4. - С. 60-66
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитные волны -- тепловое излучение -- люминесцентное излучение -- спонтанное излучение -- вынужденное излучение -- светодиод -- лазер -- корректировка методики -- общая физика -- лабораторная работа
Аннотация: Предлагается корректировка методики преподавания темы «излучение» в курсе общей физики в технических вузах. Высказывается мнение, что даже без сколько-нибудь серьезной затраты учебного времени можно обеспечить более широкое знакомство и глубокое понимание этой темы, если придерживаться предлагаемой методики. Вводится предложение относительно материала, которым нужно расширить знания студентов по сравнению с полученными в школьном курсе и по программе физики в технических вузах. Предлагаются пути достижения такого результата без заметного увеличения времени, которое отводится рассматриваемой теме в передовых технических вузах по программе. Приводится описание лабораторной работы, в которой предлагается использовать источник электролюминесцентного излучения светодиода для определения некоторых параметров полупроводников
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Бадьин, А.В.
Б 12
Бабенко, С. П.
Углубленное рассмотрение явления излучения в курсе общей физики высших технических учебных заведений [Текст] / С. П. Бабенко, А. В. Бадьин // Alma mater . - Москва, 2018. - №4. - С. 60-66
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитные волны -- тепловое излучение -- люминесцентное излучение -- спонтанное излучение -- вынужденное излучение -- светодиод -- лазер -- корректировка методики -- общая физика -- лабораторная работа
Аннотация: Предлагается корректировка методики преподавания темы «излучение» в курсе общей физики в технических вузах. Высказывается мнение, что даже без сколько-нибудь серьезной затраты учебного времени можно обеспечить более широкое знакомство и глубокое понимание этой темы, если придерживаться предлагаемой методики. Вводится предложение относительно материала, которым нужно расширить знания студентов по сравнению с полученными в школьном курсе и по программе физики в технических вузах. Предлагаются пути достижения такого результата без заметного увеличения времени, которое отводится рассматриваемой теме в передовых технических вузах по программе. Приводится описание лабораторной работы, в которой предлагается использовать источник электролюминесцентного излучения светодиода для определения некоторых параметров полупроводников
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Бадьин, А.В.
12.
Подробнее
24.53
С 38
Синтез и исследование термодинамических свойств новых цинкато-манганитов NdM2IIZnMnO6 (MII − Mg, Ca) [Текст] / Б. К. Касенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2018. - Т.61(3). - С. 16-20
ББК 24.53
Рубрики: Химическая термодинамика. Термохимия. Равновесия. Физико-химический анализ
Кл.слова (ненормированные):
цинкато-манганит -- динамическая калориметрия -- теплоемкость -- термодинамические функции -- синтез -- химия
Аннотация: Методом керамической технологии из оксидов Nd (III), Zn (II), Mn (III) и карбонатов щелочноземельных металлов магния и кальция синтезированы цинкато-манганиты состава NdM2IIZnMnO6 (MII − Mg, Ca). Рентгенофазовый анализ соединений проведен на дифрактометре ДРОН-2,0. Установлено, что они кристаллизуются в кубической сингонии со следующими параметрами рештки NdMg2ZnMnO6 – а=13,927±0,035 Å, Z = 4, V0 = =2701,36±0,11 Å3, V0эл.яч. = 675,34±0,03 Å3, ρрент = 4,20, ρпикн = 4,19±0,01 г/см3; NdCa2ZnMnO6 – а=13,910±0,030 Å, Z = 4, V0 = 2691,45±0,10 Å3, V0эл.яч. = 672,86±0,03 Å3, ρрент = 4,04, ρпикн = 4,01±0,08 г/см3. Методом динамической калориметрии в интервале 298,15-673 К на калориметре ИТ-С-400 исследованы температурные зависимости теплоемкости цинкато-манганитов NdMg2ZnMnO6 и NdСа2ZnMnO6. При каждой температуре (через 25 К) проводились по пять параллельных опытов, результаты которых усреднялись и обрабатывались методами математической статистики. В результате калориметрических исследований теплоемкости в интервале 298,15-673 К у соединений на кривой температурной зависимости теплоемкости обнаружены фазовые переходы II – рода при температурах 373, 548 К - NdMg2ZnMnO6, 448, 573 К – NdCa2ZnMnO6. Указанные фазовые переходы, вероятно, обусловлены эффектами Шоттки, переходом из полупроводниковой проводимости к металлической, а также с изменениями емкости, диэлектрической проницаемости, появлением точек Кюри, Нееля и др. На основе экспериментальных данных выведены уравнения температурных зависимостей теплоемкости цинкато-манганитов c учетом температур фазовых переходов. Методом ионных инкрементов рассчитаны стандартные энтропии исследуемых соединений. Рассчитаны значения С°р(Т) и термодинамических функций Н°(Т)-Н°(298,15), S°(T) и Фхх(Т).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Касенов, Б.К.
Касенова, Ш.Б.
Сагинтаева, Ж.И.
Куанышбеков , Е.Е.
Туртубаева, М.О.
С 38
Синтез и исследование термодинамических свойств новых цинкато-манганитов NdM2IIZnMnO6 (MII − Mg, Ca) [Текст] / Б. К. Касенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2018. - Т.61(3). - С. 16-20
Рубрики: Химическая термодинамика. Термохимия. Равновесия. Физико-химический анализ
Кл.слова (ненормированные):
цинкато-манганит -- динамическая калориметрия -- теплоемкость -- термодинамические функции -- синтез -- химия
Аннотация: Методом керамической технологии из оксидов Nd (III), Zn (II), Mn (III) и карбонатов щелочноземельных металлов магния и кальция синтезированы цинкато-манганиты состава NdM2IIZnMnO6 (MII − Mg, Ca). Рентгенофазовый анализ соединений проведен на дифрактометре ДРОН-2,0. Установлено, что они кристаллизуются в кубической сингонии со следующими параметрами рештки NdMg2ZnMnO6 – а=13,927±0,035 Å, Z = 4, V0 = =2701,36±0,11 Å3, V0эл.яч. = 675,34±0,03 Å3, ρрент = 4,20, ρпикн = 4,19±0,01 г/см3; NdCa2ZnMnO6 – а=13,910±0,030 Å, Z = 4, V0 = 2691,45±0,10 Å3, V0эл.яч. = 672,86±0,03 Å3, ρрент = 4,04, ρпикн = 4,01±0,08 г/см3. Методом динамической калориметрии в интервале 298,15-673 К на калориметре ИТ-С-400 исследованы температурные зависимости теплоемкости цинкато-манганитов NdMg2ZnMnO6 и NdСа2ZnMnO6. При каждой температуре (через 25 К) проводились по пять параллельных опытов, результаты которых усреднялись и обрабатывались методами математической статистики. В результате калориметрических исследований теплоемкости в интервале 298,15-673 К у соединений на кривой температурной зависимости теплоемкости обнаружены фазовые переходы II – рода при температурах 373, 548 К - NdMg2ZnMnO6, 448, 573 К – NdCa2ZnMnO6. Указанные фазовые переходы, вероятно, обусловлены эффектами Шоттки, переходом из полупроводниковой проводимости к металлической, а также с изменениями емкости, диэлектрической проницаемости, появлением точек Кюри, Нееля и др. На основе экспериментальных данных выведены уравнения температурных зависимостей теплоемкости цинкато-манганитов c учетом температур фазовых переходов. Методом ионных инкрементов рассчитаны стандартные энтропии исследуемых соединений. Рассчитаны значения С°р(Т) и термодинамических функций Н°(Т)-Н°(298,15), S°(T) и Фхх(Т).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Касенов, Б.К.
Касенова, Ш.Б.
Сагинтаева, Ж.И.
Куанышбеков , Е.Е.
Туртубаева, М.О.
13.
Подробнее
22.3
F97
Functions of atoms radial distribution and pair potential of some semiconductors melts [Текст] / А. Z. Issagulov [et al.] // Вестник национальной академии наук Республики Казахстан=The bulletin the national academy of sciences of the Republic Of Kazakhstan. - Almaty, 2019. - №4. - Р. 6-14
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
парные потенциалы -- радиальные распределения атомов -- полупроводник -- функционал плотности -- структурный фактор -- атомы -- молекулярная динамика -- кластерная структура -- электростатическая теорема Гельмана–Фейнмана -- электронная плотность -- межъядерный потенциал
Аннотация: В работе приведена оценка парного потенциала и построение кривых радиального распределения атомов в некоторых расплавах полупроводников, таких как германий, кремний с использованием проведенных исследований в рамках функционала плотности. Приведены результаты расчетов потенциала парного взаимодействия в расплаве германия с привлечением экспериментальных данных В. М. Глазова и квантовые потенциалы парного взаимодействия, полученные квантовохимическими методами, соответственно. Теоретически исследованы температурные зависимости радиальной функции распределения атомов в расплавах селена, теллура, кремния и германия. Рассмотрены результаты расчета кривых радиального распределения атомов, рассчитанные методом молекулярной динамики. Если предположить, что положение первого максимума кривой радиального распределения атомов в расплаве соответствует кратчайшему межатомному расстоянию в атомных цепях, то следует сделать заключение, что при плавлении кристалла это расстояние увеличивается и получается искаженная кристаллическая структура. Потенциал парного взаимодействия в расплавах германия, кремния с использованием проведенных исследований оценивается в рамках функционала плотности. Парные потенциалы вычисляются по электростатической теореме Гельмана–Фейнмана, после нахождения оптимальной электронной плотности, соответствующей равновесный межъядерный интервал
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Issagulov, А. Z.
Belomestny, D.
Shaiкhova, G. S.
Zhurov, V. V.
Kasymova, L. Zh.
Zhetimekova, G. Zh.
F97
Functions of atoms radial distribution and pair potential of some semiconductors melts [Текст] / А. Z. Issagulov [et al.] // Вестник национальной академии наук Республики Казахстан=The bulletin the national academy of sciences of the Republic Of Kazakhstan. - Almaty, 2019. - №4. - Р. 6-14
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
парные потенциалы -- радиальные распределения атомов -- полупроводник -- функционал плотности -- структурный фактор -- атомы -- молекулярная динамика -- кластерная структура -- электростатическая теорема Гельмана–Фейнмана -- электронная плотность -- межъядерный потенциал
Аннотация: В работе приведена оценка парного потенциала и построение кривых радиального распределения атомов в некоторых расплавах полупроводников, таких как германий, кремний с использованием проведенных исследований в рамках функционала плотности. Приведены результаты расчетов потенциала парного взаимодействия в расплаве германия с привлечением экспериментальных данных В. М. Глазова и квантовые потенциалы парного взаимодействия, полученные квантовохимическими методами, соответственно. Теоретически исследованы температурные зависимости радиальной функции распределения атомов в расплавах селена, теллура, кремния и германия. Рассмотрены результаты расчета кривых радиального распределения атомов, рассчитанные методом молекулярной динамики. Если предположить, что положение первого максимума кривой радиального распределения атомов в расплаве соответствует кратчайшему межатомному расстоянию в атомных цепях, то следует сделать заключение, что при плавлении кристалла это расстояние увеличивается и получается искаженная кристаллическая структура. Потенциал парного взаимодействия в расплавах германия, кремния с использованием проведенных исследований оценивается в рамках функционала плотности. Парные потенциалы вычисляются по электростатической теореме Гельмана–Фейнмана, после нахождения оптимальной электронной плотности, соответствующей равновесный межъядерный интервал
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Issagulov, А. Z.
Belomestny, D.
Shaiкhova, G. S.
Zhurov, V. V.
Kasymova, L. Zh.
Zhetimekova, G. Zh.
14.
Подробнее
24
К 51
Клындюк, А. И.
Тепловое расширение, электротранспортные и диэлектрические свойства твердых растворов Bi4(Ti,Nb,Fe)3O12 [Текст] / А. И. Клындюк, Е. А. Чижова // Известия высших учебных заведений. - Иваново, 2019. - №7. - С. 92-98. - (Серия химия и химическая технология)
ББК 24
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
слоистый титанат висмута -- твердые растворы -- тепловое расширение -- электропроводность -- термо-ЭДС -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические потери -- полупроводник -- электросопротивление -- релаксационные процессы -- спектроскопия
Аннотация: Керамическим методом синтезированы титанаты Bi4Ti3–2xNbxFexO12 (0,05 ≤ x ≤ 0,15), изучены их структура и физико-химические свойства. Соединения являются полупроводниками p-типа, значения электропроводности, температуры Кюри, диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь которых уменьшаются, а параметры кристаллической структуры, коэффициент термо-ЭДС и спекаемость практически не изменяются при частичном совместном замещении титана ниобием и железом. Введение в керамику на основе слоистого Bi4Ti3O12 оксидов ниобия и железа приводит к резкому уменьшению размера зерен керамики. Переход керамики из сегнетоэлектрического в параэлектрическое состояние сопровождается скачкообразным возрастанием температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР) (от (9,63–9,81)·10–6 К–1 до (12,71–14,67)·10–6 К–1) и уменьшением энергии активации электропроводности на постоянном токе (от 1,13–1,52 эВ до 0,72–0,99 эВ). Электросопротивление керамики определяется электросопротивлением зерен, а релаксационные процессы в ней носят недебаевский характер, при этом величина энергии активации релаксации для твердых растворов Bi4Ti3–2xNbxFexO12, найденная по результатам импедансной спектроскопии (1,01–1,05 эВ), близка к величине энергии активации их внутризеренной проводимости (0,85–0,97 эВ). Частотная зависимость электропроводности на переменном токе подчиняется степенному закону Джонскера σ ~ νn, где n < 1 и возрастает при увеличении температуры, что указывает на то, что перенос заряда в керамике осуществляется трансляцией ионов на небольшие расстояния, сопровождающейся переносом заряда поляронами малого радиуса.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Чижова, Е.А.
К 51
Клындюк, А. И.
Тепловое расширение, электротранспортные и диэлектрические свойства твердых растворов Bi4(Ti,Nb,Fe)3O12 [Текст] / А. И. Клындюк, Е. А. Чижова // Известия высших учебных заведений. - Иваново, 2019. - №7. - С. 92-98. - (Серия химия и химическая технология)
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
слоистый титанат висмута -- твердые растворы -- тепловое расширение -- электропроводность -- термо-ЭДС -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические потери -- полупроводник -- электросопротивление -- релаксационные процессы -- спектроскопия
Аннотация: Керамическим методом синтезированы титанаты Bi4Ti3–2xNbxFexO12 (0,05 ≤ x ≤ 0,15), изучены их структура и физико-химические свойства. Соединения являются полупроводниками p-типа, значения электропроводности, температуры Кюри, диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь которых уменьшаются, а параметры кристаллической структуры, коэффициент термо-ЭДС и спекаемость практически не изменяются при частичном совместном замещении титана ниобием и железом. Введение в керамику на основе слоистого Bi4Ti3O12 оксидов ниобия и железа приводит к резкому уменьшению размера зерен керамики. Переход керамики из сегнетоэлектрического в параэлектрическое состояние сопровождается скачкообразным возрастанием температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР) (от (9,63–9,81)·10–6 К–1 до (12,71–14,67)·10–6 К–1) и уменьшением энергии активации электропроводности на постоянном токе (от 1,13–1,52 эВ до 0,72–0,99 эВ). Электросопротивление керамики определяется электросопротивлением зерен, а релаксационные процессы в ней носят недебаевский характер, при этом величина энергии активации релаксации для твердых растворов Bi4Ti3–2xNbxFexO12, найденная по результатам импедансной спектроскопии (1,01–1,05 эВ), близка к величине энергии активации их внутризеренной проводимости (0,85–0,97 эВ). Частотная зависимость электропроводности на переменном токе подчиняется степенному закону Джонскера σ ~ νn, где n < 1 и возрастает при увеличении температуры, что указывает на то, что перенос заряда в керамике осуществляется трансляцией ионов на небольшие расстояния, сопровождающейся переносом заряда поляронами малого радиуса.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Чижова, Е.А.
15.
Подробнее
24
С 29
Селективное определение угарного газа единичным металлоксидным сенсором [Текст] / К. Л. Чегерева [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология». - 2019. - Т.62(4). - С. 76-81
ББК 24
Рубрики: Химические науки
Кл.слова (ненормированные):
металлоксидный сенсор -- температурная модуляция -- угарный газ -- качественный анализ -- количественный анализ -- химия
Аннотация: Полупроводниковые сенсоры часто используются для решения важной практической задачи – определения концентрации угарного газа в воздухе. Их недостатком является низкая селективность, которая может привести к ложному срабатыванию, когда в воздухе присутствуют другие газы-восстановители, например, пары аммиака или этанола. Для повышения селективности нами использовалась импульсная температурная модуляция в сочетании со специальным составом газочувствительного слоя сенсора. Использование импульсной температурной модуляции позволило выявить особенности аналита, связанные с кинетикой его сорбции на поверхности сенсора, с кинетикой химического взаимодействия между аналитами и хемосорбированным кислородом, а также с кинетикой десорбции продуктов химического взаимодействия. Однако, информация о качественном составе газовой среды содержится в экспериментальных данных в неявной форме, поскольку процедура качественного анализа с использованием низкоселективных сенсоров до сих пор не разработана. В этой статье мы предложили метод качественного анализа, основанный на модели степенной регрессии, связывающей концентрацию аналита с электрическим сопротивлением сенсора в различные моменты времени по измерительному циклу. Описанная в нашей работе экспериментальная процедура приводит к увеличению чувствительности количественного анализа на один – два порядка в зависимости от концентрации угарного газа.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Чегерева, К.Л.
Шапошник, А.В.
Москалев, П.В.
Звягин, А.А.
С 29
Селективное определение угарного газа единичным металлоксидным сенсором [Текст] / К. Л. Чегерева [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология». - 2019. - Т.62(4). - С. 76-81
Рубрики: Химические науки
Кл.слова (ненормированные):
металлоксидный сенсор -- температурная модуляция -- угарный газ -- качественный анализ -- количественный анализ -- химия
Аннотация: Полупроводниковые сенсоры часто используются для решения важной практической задачи – определения концентрации угарного газа в воздухе. Их недостатком является низкая селективность, которая может привести к ложному срабатыванию, когда в воздухе присутствуют другие газы-восстановители, например, пары аммиака или этанола. Для повышения селективности нами использовалась импульсная температурная модуляция в сочетании со специальным составом газочувствительного слоя сенсора. Использование импульсной температурной модуляции позволило выявить особенности аналита, связанные с кинетикой его сорбции на поверхности сенсора, с кинетикой химического взаимодействия между аналитами и хемосорбированным кислородом, а также с кинетикой десорбции продуктов химического взаимодействия. Однако, информация о качественном составе газовой среды содержится в экспериментальных данных в неявной форме, поскольку процедура качественного анализа с использованием низкоселективных сенсоров до сих пор не разработана. В этой статье мы предложили метод качественного анализа, основанный на модели степенной регрессии, связывающей концентрацию аналита с электрическим сопротивлением сенсора в различные моменты времени по измерительному циклу. Описанная в нашей работе экспериментальная процедура приводит к увеличению чувствительности количественного анализа на один – два порядка в зависимости от концентрации угарного газа.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Чегерева, К.Л.
Шапошник, А.В.
Москалев, П.В.
Звягин, А.А.
16.
Подробнее
22.31
А 37
Аймаганбетов, К. П.
Исследование параметров глубоких уровней кремниевого диода методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней [Текст] / К. П. Аймаганбетов // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №3. - С. 100-105
ББК 22.31
Рубрики: Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
релаксационная спектроскопия -- глубокий уровень -- сечение захвата
Аннотация: Дефекты, содержащиеся в полупроводниковых материалах, оказывают значительное влияние на их электрофизические параметры (проводимость, время жизни переносчиков заряда). В случае, если энергетические уровни дефектов расположены в запрещённой зоне указанных материалов, на значительном расстоянии от краев валентной зоны и зоны проводимости, они также известны под названием «глубокие уровни». Дефекты в структуре запрещённой зоны полупроводника могут быть как собственными, так и образовываться под влиянием внешних технологических факторов. Параметрами, которыми можно охарактеризовать глубокие уровни, являются энергия ионизации, концентрация и сечение захвата. Указанные параметры могут достаточно полно исследоваться методом емкостной релаксационной спектроскопии глубоких уровней (на английском: «deep level transient spectroscopy» DLTS). Преимуществом данной методики является ее высокая чувствительность, что даёт возможность подробно исследовать структуру запрещенной зоны в полупроводниковых материалах. В настоящей работе описана методика применения релаксационной спектроскопии глубоких уровней к исследованию кремниевого диода КД208А с целью идентификации и изучения характеристик глубоких уровней в данном элементе.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Токмолдин , Н.С.
А 37
Аймаганбетов, К. П.
Исследование параметров глубоких уровней кремниевого диода методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней [Текст] / К. П. Аймаганбетов // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №3. - С. 100-105
Рубрики: Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
релаксационная спектроскопия -- глубокий уровень -- сечение захвата
Аннотация: Дефекты, содержащиеся в полупроводниковых материалах, оказывают значительное влияние на их электрофизические параметры (проводимость, время жизни переносчиков заряда). В случае, если энергетические уровни дефектов расположены в запрещённой зоне указанных материалов, на значительном расстоянии от краев валентной зоны и зоны проводимости, они также известны под названием «глубокие уровни». Дефекты в структуре запрещённой зоны полупроводника могут быть как собственными, так и образовываться под влиянием внешних технологических факторов. Параметрами, которыми можно охарактеризовать глубокие уровни, являются энергия ионизации, концентрация и сечение захвата. Указанные параметры могут достаточно полно исследоваться методом емкостной релаксационной спектроскопии глубоких уровней (на английском: «deep level transient spectroscopy» DLTS). Преимуществом данной методики является ее высокая чувствительность, что даёт возможность подробно исследовать структуру запрещенной зоны в полупроводниковых материалах. В настоящей работе описана методика применения релаксационной спектроскопии глубоких уровней к исследованию кремниевого диода КД208А с целью идентификации и изучения характеристик глубоких уровней в данном элементе.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Токмолдин , Н.С.
17.
Подробнее
22.3
С 14
Саймбетов, А. К.
Разработка кремниевых стриповых детекторов с ортогональным полем [Текст] / А. К. Саймбетов // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №2. - С. 33-36 ; Серия физическая
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
p-i-n структура -- детектор -- Si(Li) стрип детектор
Аннотация: Разработка полупроводниковых полосковых детекторов с ортогональным полем с высокой энергией и положением, линейность сигнала в широком диапазоне энергий для различных типов частиц тесно связана с технологией изготовления модулей обнаружения и полупроводниковых свойств исходного кристалла. В работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) стриповых детекторов с ортогональном полем с большой чувствительной областью. Электрофизические и радиометрические параметры изготовленной детекторов при рабочем напряжении U=(50-600)В находятся в пределах значения темнового тока I ~ (0,1÷0,5) мкА, емкость С = (20÷200)пФ, шумы E = (12÷35) кэВ. Энергетические разрешения Rβ = 18кэВ по ЭВК 207Bi (Eβ = 1МэВ) и Rα = 46 кэВ по 238Pu (Eα ≈ 5,5MэВ), соответственно. Исследовано влияние неоднородностей на характеристики стриповых детекторов, а также их роль в явлениях переноса носителей заряда в условиях ортогонального поля.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Иманбаева, А.К.
Тошмуродов, Е.К.
Мухаметкали, Б.К.
Джапашов, Н.М.
Аязбай , Ж.Г.
С 14
Саймбетов, А. К.
Разработка кремниевых стриповых детекторов с ортогональным полем [Текст] / А. К. Саймбетов // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №2. - С. 33-36 ; Серия физическая
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
p-i-n структура -- детектор -- Si(Li) стрип детектор
Аннотация: Разработка полупроводниковых полосковых детекторов с ортогональным полем с высокой энергией и положением, линейность сигнала в широком диапазоне энергий для различных типов частиц тесно связана с технологией изготовления модулей обнаружения и полупроводниковых свойств исходного кристалла. В работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) стриповых детекторов с ортогональном полем с большой чувствительной областью. Электрофизические и радиометрические параметры изготовленной детекторов при рабочем напряжении U=(50-600)В находятся в пределах значения темнового тока I ~ (0,1÷0,5) мкА, емкость С = (20÷200)пФ, шумы E = (12÷35) кэВ. Энергетические разрешения Rβ = 18кэВ по ЭВК 207Bi (Eβ = 1МэВ) и Rα = 46 кэВ по 238Pu (Eα ≈ 5,5MэВ), соответственно. Исследовано влияние неоднородностей на характеристики стриповых детекторов, а также их роль в явлениях переноса носителей заряда в условиях ортогонального поля.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Иманбаева, А.К.
Тошмуродов, Е.К.
Мухаметкали, Б.К.
Джапашов, Н.М.
Аязбай , Ж.Г.
18.
Подробнее
22.3
П 39
Плотников, С. В.
О механизме инициирования взрывчатых веществ сильноточным импульсным электронным пучком. Обзор [Текст] / С. В. Плотников // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №2. - С. 44-51 ; Серия физическая
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
сильноточный электронный пучок -- механизм инициирования -- взрывчатые вещества
Аннотация: Актуальность исследований механизма инициирования взрывчатых веществ сильноточным импульсным электронным пучком обусловлена общенаучным и практическим интересом к изучению фундаментальных явлений при взаимодействии мощных направленных потоков энергии с конденсированными средами. В частности, большое практическое значение имеет изучение процесса электронно-пучкового инициирования энергетических материалов с целью практического использования этого способа подрыва в технологических целях (нанесение покрытий, сварка взрывом и др.). Известно, что воздействие сильноточного электронного пучка на диэлектрики и полупроводники приводит к изменению оптических, электрических и механических свойств материалов. В статье представлены основные положения о механизме инициирования взрывчатых веществ (ВВ) сильноточным электронным пучком (СЭП). Проведен обзорный анализ научных работ, посвященных исследованию природы механизма инициирования ВВ при воздействии СЭП. Показано, что на пороге инициирования взрыва свечение энергетических материалов определяется двумя физическими процессами – импульсной катодолюминесценцией твердого тела, которая наблюдается только в момент импульса облучения и свечением продуктов взрывного разложения (плазмой), которое формируется после индукционного периода. Применяемые ранее методики регистрации спектров взрыва энергетических материалов имели недостаточное спектральное разрешение, что не позволяло идентифицировать продукты взрывного разложения исследованных ВВ.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Тұрлыбекұлы, А.
Манапбаева, А.Б.
П 39
Плотников, С. В.
О механизме инициирования взрывчатых веществ сильноточным импульсным электронным пучком. Обзор [Текст] / С. В. Плотников // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №2. - С. 44-51 ; Серия физическая
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
сильноточный электронный пучок -- механизм инициирования -- взрывчатые вещества
Аннотация: Актуальность исследований механизма инициирования взрывчатых веществ сильноточным импульсным электронным пучком обусловлена общенаучным и практическим интересом к изучению фундаментальных явлений при взаимодействии мощных направленных потоков энергии с конденсированными средами. В частности, большое практическое значение имеет изучение процесса электронно-пучкового инициирования энергетических материалов с целью практического использования этого способа подрыва в технологических целях (нанесение покрытий, сварка взрывом и др.). Известно, что воздействие сильноточного электронного пучка на диэлектрики и полупроводники приводит к изменению оптических, электрических и механических свойств материалов. В статье представлены основные положения о механизме инициирования взрывчатых веществ (ВВ) сильноточным электронным пучком (СЭП). Проведен обзорный анализ научных работ, посвященных исследованию природы механизма инициирования ВВ при воздействии СЭП. Показано, что на пороге инициирования взрыва свечение энергетических материалов определяется двумя физическими процессами – импульсной катодолюминесценцией твердого тела, которая наблюдается только в момент импульса облучения и свечением продуктов взрывного разложения (плазмой), которое формируется после индукционного периода. Применяемые ранее методики регистрации спектров взрыва энергетических материалов имели недостаточное спектральное разрешение, что не позволяло идентифицировать продукты взрывного разложения исследованных ВВ.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Тұрлыбекұлы, А.
Манапбаева, А.Б.
19.
Подробнее
24
D75
Dospaev, М.М.
Mechanism of forming nanodisperse copper silicate powder during anodic polzrization of copper electrode in potassium silicate solution [Текст] / М.М. Dospaev, A. Bayeshov [и др.] // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - чз 2. - С. 130-137. - (Серия Химии и технологии)
ББК 24
Рубрики: Химические наук
Кл.слова (ненормированные):
наночастица -- порошок силиката меди -- метасиликат калия -- вольтамперометрия -- электролиз -- электронная микроскопия
Аннотация: Основным преимуществом известных электрохимических методов является возможность получения порошков с меньшим размером частиц, что исключает дополнительную стадию его обработки – доизмельчение. Все больший интерес вызывают работы направленные на получение наноразмерных порошков оксидных соединений меди, которые находят широкое применение в производстве антибактериальных материалов, солнечных батарей, газовых сенсоров, фотогальванических ячеек, а также в технике полупроводников в качестве катализатора для кислородного электрода топливного элемента с твердым электролитом. В данной работе методом вольтамперометрии впервые исследован механизм образования наночастиц порошка силиката меди при анодной поляризации медного электрода в слабощелочном растворе метасиликата калия. На основании полученных результатов с использованием метода математического планирования эксперимента изучено влияние плотности тока, концентрации метасиликата калия, температуры электролита, продолжительности электролиза на выход по току наноразмерного порошка силиката меди. Определены оптимальные параметры электролиза в гальваностатических условиях. Химическим методом анализа установлено соответствие полученного электролизом силиката меди формуле CuSiO3•3,8H2O. Проведены электронно-микроскопические исследования синтезированного порошка силиката меди и определены размеры его частиц, которые лежат в области 50 нм.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Bayeshov, A.
Zhumakanova, A.S.
Dospaev, D.M.
Syzdykova, B.B.
Kakenov, K.S.
Esenbaeva, G.A.
D75
Dospaev, М.М.
Mechanism of forming nanodisperse copper silicate powder during anodic polzrization of copper electrode in potassium silicate solution [Текст] / М.М. Dospaev, A. Bayeshov [и др.] // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - чз 2. - С. 130-137. - (Серия Химии и технологии)
Рубрики: Химические наук
Кл.слова (ненормированные):
наночастица -- порошок силиката меди -- метасиликат калия -- вольтамперометрия -- электролиз -- электронная микроскопия
Аннотация: Основным преимуществом известных электрохимических методов является возможность получения порошков с меньшим размером частиц, что исключает дополнительную стадию его обработки – доизмельчение. Все больший интерес вызывают работы направленные на получение наноразмерных порошков оксидных соединений меди, которые находят широкое применение в производстве антибактериальных материалов, солнечных батарей, газовых сенсоров, фотогальванических ячеек, а также в технике полупроводников в качестве катализатора для кислородного электрода топливного элемента с твердым электролитом. В данной работе методом вольтамперометрии впервые исследован механизм образования наночастиц порошка силиката меди при анодной поляризации медного электрода в слабощелочном растворе метасиликата калия. На основании полученных результатов с использованием метода математического планирования эксперимента изучено влияние плотности тока, концентрации метасиликата калия, температуры электролита, продолжительности электролиза на выход по току наноразмерного порошка силиката меди. Определены оптимальные параметры электролиза в гальваностатических условиях. Химическим методом анализа установлено соответствие полученного электролизом силиката меди формуле CuSiO3•3,8H2O. Проведены электронно-микроскопические исследования синтезированного порошка силиката меди и определены размеры его частиц, которые лежат в области 50 нм.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Bayeshov, A.
Zhumakanova, A.S.
Dospaev, D.M.
Syzdykova, B.B.
Kakenov, K.S.
Esenbaeva, G.A.
20.
Подробнее
Марковский, В.
Деффирициальная защита полупроводниковых преобразователей с мспользованием датчиков постоянного и переменного тока / В. Марковский // Поиск.Сер.ест.наук. - 2001. - #4,5.-С.194-197.
Рубрики: Электротехника--РК
Кл.слова (ненормированные):
Электротехника -- Полупроводники -- Датчики
Марковский, В.
Деффирициальная защита полупроводниковых преобразователей с мспользованием датчиков постоянного и переменного тока / В. Марковский // Поиск.Сер.ест.наук. - 2001. - #4,5.-С.194-197.
Рубрики: Электротехника--РК
Кл.слова (ненормированные):
Электротехника -- Полупроводники -- Датчики
Page 2, Results: 24