Электронный каталог

22.3
Б 19
Бакранова, Д. И.
    Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 46-51. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- карбид кремния -- дилатационный диполь -- структура пленок -- эпитаксиальная пленка -- кристаллизация -- замещения атомов
Аннотация: В данной работе методами рентгеновской дифракции, электронографии, атомно-силовой микроскопии и рамановской микроскопии исследованы структура, фазовый состав и микроструктура поверхности пленки SіC, синтезированной методом замещения атомов в высокоомном с-Sі ориентации (111) в смеси газов СО и SіН4 (264 Па, 1250С,15мин).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С.А.
Нусупов, К.Х.
Осипов, А.В.
Бейсенханов, Н.Б.

22.3
М 90
Мукаш, Ж. О.
    Зависимость оптических и электрических свойств слоев ZNO:В от температуры гидротермального синтеза [Текст] / Ж. О. Мукаш, Н. К. Даутбекова [и др.] // әл-Фараби ат. Қазақ Ұлттық университетінің хабаршысы = Вестник Казахского Национального университета им. аль-Фараби . - Алматы, 2016. - №4(59). - С. 64-69. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид цинка -- легирование бором -- гидротермальный метод -- спектры пропускания -- спектры поглощения -- электрические свойства -- фотолюминесценция
Аннотация: Определены технологические параметры гидротермального метода синтеза тонких пленок оксида цинка, разработаны методы синтеза слоев ZnO, легированных бором.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Даутбекова, Н.К.
Саитова, Н.К.
Гриценко, Л.В.
Гусейнов, Н.Р.
Кумеков, С.Е.
Абдуллин, Х.А.

22.3
М 90
Мукаш, Ж. О.
    Влияние продолжительности гидротермального синтеза на свойства прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка [Текст] / Ж. О. Мукаш, Н. К. Саитова [и др.] // әл-Фараби ат. Қазақ Ұлттық университетінің хабаршысы = Вестник Казахского Национального университета им. аль-Фараби . - Алматы, 2016. - №4(59). - С. 70-76. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид цинка -- легирование -- бор -- алюминий -- гидротермальный метод -- спектр пропускания -- спектр поглощения -- электрические свойства -- физика
Аннотация: Определены параметры гидротермального синтеза для направленного получения как слоев, содержащих массивы наностержней, так и сплошных однородных пленок оксида цинка, легированного бором (BZO) и алюминием (AZO).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Саитова, Н.К.
Гриценко, Л.В.
Калкозова, Ж.К.
Кумеков, С.Е.
Абдуллин, Х.А.

22.3
В 58

    Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 68-75. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки SnO2 -- изотермический отжиг -- легирование фтором -- золь гель метод -- прозрачность -- поверхностное сопротивление -- адсорбционная чувствительность -- пары этанола -- этанол -- физика
Аннотация: В данной статье проведен сравнительный анализ влияния изотермического отжига (400°С) на оптические спектры пропускания, поверхностное сопротивление и адсорбционную чувствительность к парам этанола пленок оксида олова легированных ионами фтора и пленок, полученных без добавления фторирующего агента. Показано увеличение прозрачности пленок при отжиге в течение 3-х часов. Дальнейший отжиг приводит к существенному снижению прозрачности тонких пленок. Рассчитанная из спектров пропускания ширина запрещенной зоны изучаемых пленок соответствует значению ширины запрещенной зоны SnO2 при комнатной температуре (Eg = 3,6 эВ). Значение ширины запрещенной зоны пленок, полученных из золя с добавлением NH4F, с длительностью отжига менялась в пределах точности измерений. С увеличением длительности отжига пленок поверхностное сопротивление увеличивается. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, обладают меньшим поверхностным сопротивлением, чем пленки, полученные из золя без добавок. Что подтверждает наличие в составе пленок ионов фтора в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Показано, что увеличение длительности отжига при 400оС до трех часов приводит к увеличению поверхностного сопротивления и уменьшению чувствительности к парам этанола. Что, возможно, связано с уменьшением мелких дефектов и разрывам связей между отдельными частицами золя. Шестичасовой отжиг при 400оС приводит к еще большему увеличению поверхностного сопротивления и увеличению чувствительности к парам этанола. Возможно, это связано с появлением микротрещин и разрушением отдельных частиц золя.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дмитриева, Е.А.
Мухамедшина, Д.М.
Мить, К.А.
Лебедев, И.А.
Грушевская, Е.А.

22.3
Л 38

    Doping of fluorine of tin dioxide films synthesized by sol-gel methodd [Текст] = Легирование фтором пленок диоксида олова синтезированных золь-гель методом / E.A. Dmitriyeva [et al.] // Известия НАН РК. Серия геологии и технических наук. - 2019. - №1. - С. 73-79
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
легирование фтором -- золь-гель технология -- оксид олова -- структура -- тонкие пленки -- чувствительность к этанолу -- физика
Аннотация: В статье рассмотрены оптические свойства, поверхностное сопротивление, адсорбционная чувствительность к парам этанола и структура нанопленок SnO2, синтезированных золь-гель методом. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, имеют на 4-5% более высокую прозрачность, чем пленки, полученные из золя без добавок. Обнаружено увеличение адгезии пленок, синтезированных с добавлением NH4F, к поверхности стеклянной подложки. Показано наличие ионов F- в матрице SnO2 в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Пленки, полученные как из золя, так и с добавлением фторида аммония демонстрируют характерную для SnO2 нелинейную зависимость сопротивления от температуры. Пленка, полученная из золя, состоит из глобул, отдельно стоящих или сгруппированных. Добавление фторида аммония к золю привело к образованию дендритной структуры пленок. Пленки, полученные как из золя без добавок, так и с добавлением NH4F, могут быть использованы в качестве чувствительного элемента в газоанализаторах, для определения малых концентраций паров этанола. Получен важный технический результат – уменьшение времени отклика до 2 секунд к парам этанола как для пленок с добавлением NH4F, так и без добавок. Однако, для определения концентраций от 0,1 до 0,6 мг/л более предпочтительны пленки, синтезированные из золя с добавлением NH4F.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Dmitriyeva, E.A.
Mukhamedshina, D.M.
Mit, K.A.
Lebedev, I.А.
Girina, I.I.
Fedosimova, A.I.
Grushevskaja, E.A.

24
C51

    Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
ББК 24

Рубрики: Химия

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.

35
С 16
Салахова, Э. А.
    Электрохимическое получение и морфология нанопокрытий сплавов в системе Re-Cu-Se. [Текст] / Э. А. Салахова, Д. Б. Тагиев, М. А. Рамазанов, З. А. Агамалиев [и др.] // Известия высших учебных заведений . - 2021. - Т.64. Вып.2. - С. 34-40
ББК 35

Рубрики: Химическая технология

Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение -- нанопокрытия -- халькогениды рения -- тонкие пленки -- циклическая вольтамперометрия
Аннотация: Изучено электрохимическое получение нанопокрытий сплавов в системе Re-Сu-Se на платиновом электроде при вольтамперометрическом циклировании. Исследование проводилось из сернокислого раствора, содержащего селенистую кислоту, перренат калия и медь хлористую. Для получения нанопокрытий в системе Re-Cu-Se нами был использован электролит следующего состава (моль/л): 6,9·10-4 – 6,9·10-3 KReO4 + 9·10-4 – 1,8·10-2 SeO2 +
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Тагиев, Д.Б.
Рамазанов, М.А.
Агамалиев, З.А.
Калантарова, П.Э.
Ибрагимова, К.Ф.