Электронный каталог

24. 57
Д 36
Дергачева , М. Б.
    Электроосаждение селенида галлия [Текст] / М. Б. Дергачева , Жанабаева А.К., В. И. Яскевич // Қазақстан Республикасының ұлттық ғылым академиясының Хабаршысы Вестник национальной академии наук Республики Казахстан Bulletin of national academy of sciences of the republic of Kazakhstan. - 2018. - №3. - С. 260 - 268
ББК 24. 57

Рубрики: Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение -- селенида -- галлия -- введение -- методы исследования -- вольтамперные измерения на дисковом спеклоуглеродном электроде -- электроосаждение селенида галлия в сернокислом электролите -- температура обработка пленок -- выводы
Аннотация: Проведено электрохимическое осаждение селенида галлия на стеклоуглеродном электроде из сернокислых электролитов при постоянном потенциале. Исследованы циклические вольтамперные кривые стеклоуглеродного электрода в двух различных электролитах: сернокислом и цитратном буферном растворе, содержащих ионы галлия и селена. Исследовано вляние изменения концентрации ионов галлия и потенциала осаждения на состав получаемого осадка.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Жанабаева А.К.
Яскевич, В.И.

24
С 87

    Structure and photoelectrochemical properties of electrodeposited Cu2ZnSn(S,Se)4 films [Текст] = Структура и фотоэлектрохимические свойства электроосажденных пленок Cu2ZnSn(S,Se)4 / K.A. Urazov [et al.] // Известия НАН РК. Серия химии и технологии. - 2019. - №2. - С. 12-20
ББК 24

Рубрики: Химические науки

Кл.слова (ненормированные):
Электроосаждение -- CZTSSe -- кестерит -- тонкая пленка -- фотоэлектрохимия -- химия
Аннотация: Разработан одностадийный электрохимический синтез пленок Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) и Cu2ZnSnS4 (CZTS) на стекле, покрытом Мо, из водных электролитов, содержащих одновременно ионы Cu+2, Zn+2, Sn+2,, Se+4 или S+4. Электроосаждение выполняли при постоянном потенциале с последующим отжигом при температуре 450о С в атмосфере воздуха в течение 60 минут. Пленки Cu2ZnSn(S0,96,Se0,04)4 были получены путем сульфуризации электроосажденных слоев Cu2ZnSnSe4 в атмосфере серы при 500о С в течение 60 минут. Структура и фазовый состав пленок подтвержден методом РФА и спектроскопии комбинационного рассеяния. Методом РЕС подтверждено, что все пленки имели р-проводимость. Установлено, что изменение химического состава пленок влияет на электрофизические свойства, и для слоев Cu2ZnSn(S,Se)4 фотоотклик оказался в 5-6 раз выше, чем для четрехкомпонентных соединений.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Urazov, K.A.
Dergacheva, M.B.
Gremenok, V.F.
Zaretskaya, E.P.

24
U73
Urazov, K. A.
    Invesnigation of the surface morphology of polyanaline thin films [Текст] / K. A. Urazov, M. B. Dergacheva , V. F. Gremenok // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - №3. - С. 6-12. - (Серия Химии и технологии)
ББК 24

Рубрики: Химические наука

Кл.слова (ненормированные):
Полианилин -- электроосаждение -- тонкая пленка -- морфология поверхности -- спектр пропускания
Аннотация: В работе показан электрохимический способ получения тонких пленокполианилина(ПАНИ) с толщиной 20 и 60 нм на FTO/стекло подложках. Структура и морфология поверхности полученных пленок ПАНИ исследовали с помощью методов РФА, СЭМ, АСМ. Установлено незначительное изменение структуры стеклянной подложки при нанесении полианалина. На тонких покрытиях выделены частицы с различными диаметрами, максимальный из которых составляет 250 нм. Покрытия толщиной 60 нм представляют собой плотную однородную поверхность. Ее шероховатость и положение отдельных зерен, а также профиль поверхности определены методом атомной силовой микроскопии. Оптические свойства покрытий определены методом УФ-спектроскопии. На основании выполненных исследований сделан вывод, что поглощающая способность стекла, покрытого полианилином увеличивается больше в красной области длин волн. Ширина запрещенной зоны системы ПАНИ/FTO/стекло составляет 3,85 эВ
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Dergacheva , M.B.
Gremenok, V.F.

Деемев, Деемев,Б. Б.
    Электроосаждение меди в электролитах рафинирования/Б.Б.Демеев,Р.А.Нурманова,М.К.Наурбаев / Деемев,Б. Б. Деемев // Вестник Казахского Национального Университета им.Аль-Фараби. - Сер.химическая. - 2010. - ¦1.-С.114-117

Рубрики: Химические науки--РК

Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение меди -- медь -- электролит рафинирования

24
В 58

    Влияние состава комплекса полианилина на фотоэлектрохимические свойства тонких пленок cztse [Текст] / К. Уразов, О. Л. Грибкова , А. Р. Тамеев [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - С. 189-197
ББК 24

Рубрики: Химия

Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение -- полианилин -- кестерит -- фотоэлектрохимия -- тонкая пленка -- солнечный элемент
Аннотация: Рассмотрено влияние поверхности слоя электропроводящего полианилина (PANI) на морфологию, состав и фотоэлектрохимические свойства пленок кестерита Cu2ZnSnSe4 (CZTSe), электроосажденных на слой полианилина. Слои PANI были синтезированы электрохимической анодной полимеризацией анилина из 3х различных электролитов на поверхности проводящей подложки FТО/стекло. Разработан одностадийный способ электроосаждения тонких пленок CZTSe из раствора на основе винной кислоты на поверхность структуры PANI/FТО/стекло. С помощью оптической и электронной микроскопии установлено, что в пленках CZTSe формируются микрокристаллы с максимальным размером в несколько микрон. Фотоэлектрохимические измерения образцов в растворе 0,1М Na2SO4 показывают устойчивый фотоотклик у всех гетероструктур Cu2ZnSnSe4/PANI.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Уразов, К.
Грибкова , О.Л.
Тамеев , А.Р.
Рахимова , А.К.
Дергачева , М.Б.

35
С 16
Салахова, Э. А.
    Электрохимическое получение и морфология нанопокрытий сплавов в системе Re-Cu-Se. [Текст] / Э. А. Салахова, Д. Б. Тагиев, М. А. Рамазанов, З. А. Агамалиев [и др.] // Известия высших учебных заведений . - 2021. - Т.64. Вып.2. - С. 34-40
ББК 35

Рубрики: Химическая технология

Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение -- нанопокрытия -- халькогениды рения -- тонкие пленки -- циклическая вольтамперометрия
Аннотация: Изучено электрохимическое получение нанопокрытий сплавов в системе Re-Сu-Se на платиновом электроде при вольтамперометрическом циклировании. Исследование проводилось из сернокислого раствора, содержащего селенистую кислоту, перренат калия и медь хлористую. Для получения нанопокрытий в системе Re-Cu-Se нами был использован электролит следующего состава (моль/л): 6,9·10-4 – 6,9·10-3 KReO4 + 9·10-4 – 1,8·10-2 SeO2 +
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Тагиев, Д.Б.
Рамазанов, М.А.
Агамалиев, З.А.
Калантарова, П.Э.
Ибрагимова, К.Ф.

24
К 43
Киреев, С. Ю.
    Электроосаждение индия из сульфатного электролита с галогенид-анионами. [Текст] / С. Ю. Киреев, С. Н. Киреев // Известия высших учебных заведений . - 2021. - Т.64. Вып.10. - С. 65-71
ББК 24

Рубрики: Химия

Кл.слова (ненормированные):
индий -- гальванические покрытия -- импульсный электролиз -- поляризационные кривые -- галогенид-анионы
Аннотация: Проведено исследование влияния галогенид-анионов (фторидов, хлоридов, бромидов и иодидов) на процесс электрохимической кристаллизации индия из кислого сульфатно-галогенидного электролита с использованием стационарного и гальваностатического униполярного импульсного электролиза. Экспериментально установлено, что при содержании сульфата индия (III) 0,087 моль/л, серной кислоты 0,185 моль/л и блескообразующей добавки Лимеда БК-10А 2 мл/л введение фторидов до 1,00 моль/л не приводит к формированию покрытий индием на поверхности катода. Добавление хлоридов, бромидов и иодидов резко увеличивает скорость процесса формирования покрытий индием и увеличивает катодный выход индия по току. Определен диапазон концентраций хлорид-анионов (0,34···0,42 моль/л), при котором наблюдается электроосаждение покрытий наилучшего качества с высоким выходом по току. С увеличением порядкового номера галогена в Периодической системе Д.И. Менделеева возрастает степень его влияния на катодный процесс формирования покрытий индием. Галогенид-анионы в электролите образуют комплексные соединения индия, что доказывается смещением катодных потенциодинамических кривых в область более отрицательных значений потенциалов. Однако, при наличии в электролите бромидов и иодидов при пропускании электрического тока обнаружено образование малорастворимых моногалогенидов индия, нарушающих стабильность электролита и препятствующих его промышленному использованию. Определено влияние добавки Лимеда БК-10А на выход индия по току. Исследован процесс электроосаждения индия из сульфатно-хлоридного электролита с использованием гальваностатических импульсов прямоугольной формы, исследованы зависимости выхода по току индия от длительности импульсов, их скважности и амплитуды. Доказана возможность использования на практике комбинированных индиевых и инертных анодов. Изучены свойства индиевых покрытий из сульфатно-хлоридного электролита.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Киреев, С.Н.

24
Ш 54
Шеханов, Р. Ф.
    Оксалатно-аммонийные электролиты для электроосаждения сплавов цинк-железо. [Текст] / Р. Ф. Шеханов, С. Н. Гридчин, А. В. Балмасов, Н. Е. Мокрецов // Известия высших учебных заведений . - 2021. - Т.64. Вып.10. - С. 72-77
ББК 24

Рубрики: Химия

Кл.слова (ненормированные):
электроосаждение сплавов -- оксалатно-аммонийные электролиты -- сплавы цинк-железо -- поляризационные кривые -- циклические вольтамперные кривые
Аннотация: В статье обсуждаются кинетические закономерности электроосаждения цинка, железа и сплавов цинк-железо из оксалатно-аммонийных электролитов.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Гридчин, С.Н.
Балмасов, А.В.
Мокрецов, Н.Е.