База данных: Статьи
Страница 1, Результатов: 5
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
22.379
T95
Turekhanova, K. M.
Collision frequency and free length path of electrons of semiclassical dense plasma [Текст] / K. M. Turekhanova, D. S. Kaliyeva // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 39-44. - (Серия физическая=Series of physical)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
плотная плазма -- квазиклассическая плазма -- столкновительные процессы -- частота столкновений электронов -- длина свободного пробега электронов -- квантово-механические эффекты дифракции -- длина свободного пробега электронов -- параметры неидеальности
Аннотация: В настоящее время исследование столкновительных процессов плотной квазиклассической плазмы, реализующиеся во многих устройствах, представляет значительный интерес. В работе исследованы столкновительные процессы плотной квазиклассической плазмы с учетом квантово-механических эффектов дифракции и симметрии нa мaлыx paccтoяниях и эффeкты экрaнирoвки пoля зapядoв нa бoльших paccтoянияx. Столкновительные характеристики плотной квазиклассической плазмы получены численно, например, определены зависимости частоты столкновений электронов от параметра неидеальности и длины свободного пробега электронов от параметра неидеальности и плотности плазмы. Показано, что учет эффекта экранировки и квантово-механических эффектов дифракции и симметрии в плотной квазиклассической плазме при определенных значениях параметра неидеальности приводит к появлению максимума на кривой частоты столкновений электронов. А длина свободного пробега электронов имеет минимум в некоторых значениях параметра неидеальности.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kaliyeva, D.S.
T95
Turekhanova, K. M.
Collision frequency and free length path of electrons of semiclassical dense plasma [Текст] / K. M. Turekhanova, D. S. Kaliyeva // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 39-44. - (Серия физическая=Series of physical)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
плотная плазма -- квазиклассическая плазма -- столкновительные процессы -- частота столкновений электронов -- длина свободного пробега электронов -- квантово-механические эффекты дифракции -- длина свободного пробега электронов -- параметры неидеальности
Аннотация: В настоящее время исследование столкновительных процессов плотной квазиклассической плазмы, реализующиеся во многих устройствах, представляет значительный интерес. В работе исследованы столкновительные процессы плотной квазиклассической плазмы с учетом квантово-механических эффектов дифракции и симметрии нa мaлыx paccтoяниях и эффeкты экрaнирoвки пoля зapядoв нa бoльших paccтoянияx. Столкновительные характеристики плотной квазиклассической плазмы получены численно, например, определены зависимости частоты столкновений электронов от параметра неидеальности и длины свободного пробега электронов от параметра неидеальности и плотности плазмы. Показано, что учет эффекта экранировки и квантово-механических эффектов дифракции и симметрии в плотной квазиклассической плазме при определенных значениях параметра неидеальности приводит к появлению максимума на кривой частоты столкновений электронов. А длина свободного пробега электронов имеет минимум в некоторых значениях параметра неидеальности.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kaliyeva, D.S.
2.
Подробнее
22.379
Н 76
Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.
Н 76
Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.
3.
Подробнее
22.379
К 92
Купчишин, А. И.
Влияние температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию линейных полимерных пленок [Текст] / А. И. Купчишин, М. Н. Ниязов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 55-61. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
температура -- деформация -- прочность -- линейные полимеры -- статическая нагрузка -- облучение -- поглощенная доза -- математическая модель
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования по влиянию температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию политетрафторэтилена. До 35 °С воздействие нагрузки и температуры приводит к резкому удлинению образцов, что вызвано выпрямлением закрученных комплексов макромолекул и жестко связанных цепей. Катастрофическое разрушение слабых цепей, в том числе связанных с наличием фазовых переходов, происходит при росте температуры до 45 °С. Кривая ε(t) имеет тенденцию постепенного выхода на насыщение при t > 40 °С, что связано с разрывом жестких, более прочных цепей. Максимальная деформация 500 % достигается при t = 85 °С и σ = 13 МПа. Исследованы зависимости возвратной деформации от времени при различных значениях статической нагрузке и комнатной температуре. С ростом дозы облучения возвратная деформация уменьшается, а предел прочности полимера принимает значение равное 6 – 9 МПа. Электронное воздействие на политет-рафторэтилен приводит к уменьшению пластичности и к существенному уменьшению возвратной деформации, что связано с деструкцией полимера. Удовлетворительное согласие экспериментальных данных с расчетом показывают кривые, описывающиеся в рамках экспоненциальной модели.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Ниязов, М.Н.
Таипова, Б.Г.
Ходарина, Н.Н.
Шаханов, К.Ш.
Тронин, Б.А.
К 92
Купчишин, А. И.
Влияние температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию линейных полимерных пленок [Текст] / А. И. Купчишин, М. Н. Ниязов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 55-61. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
температура -- деформация -- прочность -- линейные полимеры -- статическая нагрузка -- облучение -- поглощенная доза -- математическая модель
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования по влиянию температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию политетрафторэтилена. До 35 °С воздействие нагрузки и температуры приводит к резкому удлинению образцов, что вызвано выпрямлением закрученных комплексов макромолекул и жестко связанных цепей. Катастрофическое разрушение слабых цепей, в том числе связанных с наличием фазовых переходов, происходит при росте температуры до 45 °С. Кривая ε(t) имеет тенденцию постепенного выхода на насыщение при t > 40 °С, что связано с разрывом жестких, более прочных цепей. Максимальная деформация 500 % достигается при t = 85 °С и σ = 13 МПа. Исследованы зависимости возвратной деформации от времени при различных значениях статической нагрузке и комнатной температуре. С ростом дозы облучения возвратная деформация уменьшается, а предел прочности полимера принимает значение равное 6 – 9 МПа. Электронное воздействие на политет-рафторэтилен приводит к уменьшению пластичности и к существенному уменьшению возвратной деформации, что связано с деструкцией полимера. Удовлетворительное согласие экспериментальных данных с расчетом показывают кривые, описывающиеся в рамках экспоненциальной модели.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Ниязов, М.Н.
Таипова, Б.Г.
Ходарина, Н.Н.
Шаханов, К.Ш.
Тронин, Б.А.
4.
Подробнее
22.379
K34
Kenzhina, I. E.
Synthesis of Cu/CuO nanostructures [Текст] / I. E. Kenzhina, A. L. Kozlovskiy, A. V. Petrov, K. K. Kadyrzhanov // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 62-68. - ( Серия физическая=Series of physical)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- нанотрубки -- матричный синтез -- электропроводящие свойства -- кристаллическая структура -- Электрохимический синтез -- микроэлектроника -- проводящие свойства
Аннотация: Среди разнообразия синтезированных наноструктур особое место занимают нанотрубки Cu из-за их физико-химических и электрических свойств, а также из-за потенциальных применений в микроэлектронике. В настоящей работе представлены результаты исследований синтеза медных наноструктур в виде полых нанотрубок, полученных электрохимическим осаждением в порах темплатных матриц на основе полимерных пленок из полиэтилентерефталата. Электрохимический синтез в треки темплатов проводился в потенциостатическом режиме при напряжении от 0,5 до 1,5 В. Контролируя время осаждения, разницу приложенных потенциалов, температуру электролита, мы можем изменить геометрические параметры синтезированных наноструктур. Морфология, кристаллическая структура, элементный и фазовый состав наноструктур были изучены с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного и рентгенофазового анализа. Установлены зависимости изменения структурных и проводящих свойств синтезированных наноструктур от условий синтеза. Определены оптимальные условия для синтеза Cu/CuO наноструктур различной геометрии (нанопроволоки и нанотрубки), которые имеют потенциальные применения в микроэлектронике.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kozlovskiy, A.L.
Petrov, A.V.
Kadyrzhanov, K.K.
K34
Kenzhina, I. E.
Synthesis of Cu/CuO nanostructures [Текст] / I. E. Kenzhina, A. L. Kozlovskiy, A. V. Petrov, K. K. Kadyrzhanov // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 62-68. - ( Серия физическая=Series of physical)
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- нанотрубки -- матричный синтез -- электропроводящие свойства -- кристаллическая структура -- Электрохимический синтез -- микроэлектроника -- проводящие свойства
Аннотация: Среди разнообразия синтезированных наноструктур особое место занимают нанотрубки Cu из-за их физико-химических и электрических свойств, а также из-за потенциальных применений в микроэлектронике. В настоящей работе представлены результаты исследований синтеза медных наноструктур в виде полых нанотрубок, полученных электрохимическим осаждением в порах темплатных матриц на основе полимерных пленок из полиэтилентерефталата. Электрохимический синтез в треки темплатов проводился в потенциостатическом режиме при напряжении от 0,5 до 1,5 В. Контролируя время осаждения, разницу приложенных потенциалов, температуру электролита, мы можем изменить геометрические параметры синтезированных наноструктур. Морфология, кристаллическая структура, элементный и фазовый состав наноструктур были изучены с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного и рентгенофазового анализа. Установлены зависимости изменения структурных и проводящих свойств синтезированных наноструктур от условий синтеза. Определены оптимальные условия для синтеза Cu/CuO наноструктур различной геометрии (нанопроволоки и нанотрубки), которые имеют потенциальные применения в микроэлектронике.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kozlovskiy, A.L.
Petrov, A.V.
Kadyrzhanov, K.K.
5.
Подробнее
22.379
А 95
Аханова, Н. Е.
Разработка системы измерения в нанодиапазоне [Текст] / Н. Е. Аханова, С. А. Дарзнек [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 69-75. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
лазер -- линейное перемещение -- нанодиапазон -- интерферометр -- угол фазового сдвига (УФС) -- нанометрии -- Оптическая интерферометрия -- радиодиапазон -- гелий-неоновый лазер -- фотоприёмное устройство -- электронно-фазометрическая система -- блок высокочастотных генераторов -- интерфейс связи -- персональный компьютер -- программное обеспечение -- Оптический пучок -- интерферометр-фазометр -- лазерный цифровой фазометр
Аннотация: Работа посвящена измерению линейных смещений в нанодиапазоне, анализу особенностей такого рода работ, обеспечению единства измерений и стабильности измеряемой физической величины, достоверности результатов и их привязки к Госэталонам. Рассмотрены критерии, которым должны соответствовать методы и средства прецизионных измерений в нанодиапазоне, а также методы и средства съема и представления обработки получаемой информации. Сделан анализ основных источников погрешностей. Результаты этих исследований представлены в работе [1]. Рассмотрены особенности построения измерительных комплексов, а также вопросы калибровки фазовых измерений в оптике.Рассмотрены вопросы прикладного характера: измерение реальных перемещений объектов в нанодиапазоне, определения их скорости и ускорения, а также вопросы внедрения разработанных методов в область практического применения. Приведены результаты, полученные при решении экспериментальных и прикладных задач с использованием метода и средств численного гетеродинирования. Разработанная измерительная система «интерферометр-фазометр», позволяет исследовать, в реальном масштабе времени, сложные пъезокерамические структуры используемых в различных устройствах в качестве актюаторов.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дарзнек, С.А.
Желкобаев, Ж.Е.
Габдуллин, М.Т.
Ерланулы, Е.
Батрышев, Д.Г.
А 95
Аханова, Н. Е.
Разработка системы измерения в нанодиапазоне [Текст] / Н. Е. Аханова, С. А. Дарзнек [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 69-75. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
лазер -- линейное перемещение -- нанодиапазон -- интерферометр -- угол фазового сдвига (УФС) -- нанометрии -- Оптическая интерферометрия -- радиодиапазон -- гелий-неоновый лазер -- фотоприёмное устройство -- электронно-фазометрическая система -- блок высокочастотных генераторов -- интерфейс связи -- персональный компьютер -- программное обеспечение -- Оптический пучок -- интерферометр-фазометр -- лазерный цифровой фазометр
Аннотация: Работа посвящена измерению линейных смещений в нанодиапазоне, анализу особенностей такого рода работ, обеспечению единства измерений и стабильности измеряемой физической величины, достоверности результатов и их привязки к Госэталонам. Рассмотрены критерии, которым должны соответствовать методы и средства прецизионных измерений в нанодиапазоне, а также методы и средства съема и представления обработки получаемой информации. Сделан анализ основных источников погрешностей. Результаты этих исследований представлены в работе [1]. Рассмотрены особенности построения измерительных комплексов, а также вопросы калибровки фазовых измерений в оптике.Рассмотрены вопросы прикладного характера: измерение реальных перемещений объектов в нанодиапазоне, определения их скорости и ускорения, а также вопросы внедрения разработанных методов в область практического применения. Приведены результаты, полученные при решении экспериментальных и прикладных задач с использованием метода и средств численного гетеродинирования. Разработанная измерительная система «интерферометр-фазометр», позволяет исследовать, в реальном масштабе времени, сложные пъезокерамические структуры используемых в различных устройствах в качестве актюаторов.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дарзнек, С.А.
Желкобаев, Ж.Е.
Габдуллин, М.Т.
Ерланулы, Е.
Батрышев, Д.Г.
Страница 1, Результатов: 5