Электронный каталог


 

База данных: Статьи

Страница 1, Результатов: 7

Отмеченные записи: 0

74.200
М 91

Мурыгина, Т. Ю.
    Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - 2012. - №2. - С. 53-54
ББК 74.200

Рубрики: педагогика

Кл.слова (ненормированные):
весна -- друг другу -- красота -- конкурс -- волосы -- прическа -- образ -- модель -- косметика -- крем -- кожа -- ресницы -- глаза -- губы -- помада -- тушь -- маникюр -- ногти -- укладка -- аксессуары
Аннотация: В статье автор развивает творческие способности учащихся. Конкурс состоит из шести туров. Каждый тур оценивается представителями жюри.
Держатели документа:
ЗКГУ

Мурыгина, Т.Ю. Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - Алматы : Нур, 2012. - №2.- С.53-54

1.

Мурыгина, Т.Ю. Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - Алматы : Нур, 2012. - №2.- С.53-54


74.200
М 91

Мурыгина, Т. Ю.
    Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - 2012. - №2. - С. 53-54
ББК 74.200

Рубрики: педагогика

Кл.слова (ненормированные):
весна -- друг другу -- красота -- конкурс -- волосы -- прическа -- образ -- модель -- косметика -- крем -- кожа -- ресницы -- глаза -- губы -- помада -- тушь -- маникюр -- ногти -- укладка -- аксессуары
Аннотация: В статье автор развивает творческие способности учащихся. Конкурс состоит из шести туров. Каждый тур оценивается представителями жюри.
Держатели документа:
ЗКГУ

74.200.54
С 14

Садвакасов, М. Х.
    Конкурс "Юный художник" [Текст] / М. Х. Садвакасов // Бейнелеу өнері және музыка, сызу=Изобразительное искусство и музыка, черчение. - 2012. - №2. - С. 23-24
ББК 74.200.54

Рубрики: Эстетическое воспитание

Кл.слова (ненормированные):
игра -- конкурс -- команда -- девиз -- вопрос -- ответ -- карандаш -- эскиз -- тень -- композиция -- картина -- бумага -- пропорция -- музыка
Аннотация: В статье описана ход игры. Игра состоит из 10 туров. В итоге вывешиваются все рисунки, обсуждаются и оцениваются самими учащимися. Жюри оценивают работы, какая комагда лучше справилась заданием.
Держатели документа:
ЗКГУ

Садвакасов, М.Х. Конкурс "Юный художник" [Текст] / М. Х. Садвакасов // Бейнелеу өнері және музыка, сызу=Изобразительное искусство и музыка, черчение. - Алматы : Рыскулова, 2012. - №2.- С.23-24

2.

Садвакасов, М.Х. Конкурс "Юный художник" [Текст] / М. Х. Садвакасов // Бейнелеу өнері және музыка, сызу=Изобразительное искусство и музыка, черчение. - Алматы : Рыскулова, 2012. - №2.- С.23-24


74.200.54
С 14

Садвакасов, М. Х.
    Конкурс "Юный художник" [Текст] / М. Х. Садвакасов // Бейнелеу өнері және музыка, сызу=Изобразительное искусство и музыка, черчение. - 2012. - №2. - С. 23-24
ББК 74.200.54

Рубрики: Эстетическое воспитание

Кл.слова (ненормированные):
игра -- конкурс -- команда -- девиз -- вопрос -- ответ -- карандаш -- эскиз -- тень -- композиция -- картина -- бумага -- пропорция -- музыка
Аннотация: В статье описана ход игры. Игра состоит из 10 туров. В итоге вывешиваются все рисунки, обсуждаются и оцениваются самими учащимися. Жюри оценивают работы, какая комагда лучше справилась заданием.
Держатели документа:
ЗКГУ

74.200
М 91

Мурыгина, Т. Ю.
    Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - 2012. - №2. - С. 53-54
ББК 74.200

Рубрики: педагогика

Кл.слова (ненормированные):
весна -- друг другу -- красота -- конкурс -- волосы -- прическа -- образ -- модель -- косметика -- крем -- кожа -- ресницы -- глаза -- губы -- помада -- тушь -- маникюр -- ногти -- укладка -- аксессуары
Аннотация: В статье автор развивает творческие способности учащихся. Конкурс состоит из шести туров. Каждый тур оценивается представителями жюри.
Держатели документа:
ЗКГУ

Мурыгина, Т.Ю. Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - Алматы : Нур, 2012. - №2.- С.53-54

3.

Мурыгина, Т.Ю. Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - Алматы : Нур, 2012. - №2.- С.53-54


74.200
М 91

Мурыгина, Т. Ю.
    Конкурс "Шоу красоты" [Текст] / Т. Ю. Мурыгина // Мектептегі технология=Технология в школе. - 2012. - №2. - С. 53-54
ББК 74.200

Рубрики: педагогика

Кл.слова (ненормированные):
весна -- друг другу -- красота -- конкурс -- волосы -- прическа -- образ -- модель -- косметика -- крем -- кожа -- ресницы -- глаза -- губы -- помада -- тушь -- маникюр -- ногти -- укладка -- аксессуары
Аннотация: В статье автор развивает творческие способности учащихся. Конкурс состоит из шести туров. Каждый тур оценивается представителями жюри.
Держатели документа:
ЗКГУ

65
Т 88

Туровский, Р. Ф.
    Российское местное самоуправление: агент государственной власти в ловушке недофинансирования и гражданской пассивности [Текст] / Р. Ф. Туровский // Полис. Политические исследования. - 2015. - №2. - С. 35-51
ББК 65

Рубрики: Экономика

Кл.слова (ненормированные):
российское местное самоуправление -- государственная власть -- недофинансирование -- гражданская пассивность -- патрон- клиентские отношения -- межбюджетные отношения -- рф -- принципал- агент
Аннотация: Статья о российском местном самоуправлении.
Держатели документа:
ЗКГУ им.М.Утемисова

Туровский, Р.Ф. Российское местное самоуправление: агент государственной власти в ловушке недофинансирования и гражданской пассивности [Текст] / Р. Ф. Туровский // Полис. Политические исследования. - 2015. - №2.- С.35-51

4.

Туровский, Р.Ф. Российское местное самоуправление: агент государственной власти в ловушке недофинансирования и гражданской пассивности [Текст] / Р. Ф. Туровский // Полис. Политические исследования. - 2015. - №2.- С.35-51


65
Т 88

Туровский, Р. Ф.
    Российское местное самоуправление: агент государственной власти в ловушке недофинансирования и гражданской пассивности [Текст] / Р. Ф. Туровский // Полис. Политические исследования. - 2015. - №2. - С. 35-51
ББК 65

Рубрики: Экономика

Кл.слова (ненормированные):
российское местное самоуправление -- государственная власть -- недофинансирование -- гражданская пассивность -- патрон- клиентские отношения -- межбюджетные отношения -- рф -- принципал- агент
Аннотация: Статья о российском местном самоуправлении.
Держатели документа:
ЗКГУ им.М.Утемисова

24.5
Э 45


    Электронные параметры 1,1,1-трифторалканов [Текст] / А. В. Котомкин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2019. - Т.62(1). - С. 31-37
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия. Химическая физика

Кл.слова (ненормированные):
индуктивный эффект -- электроотрицательность -- квантовая теория атомов в молекуле -- электронная плотность -- трифторалканы -- электронные параметры -- химия
Аннотация: На основании квантово-химических расчетов рассмотрены свойства групп гомологического ряда молекул третичных фторзамещенных углеводородов CnH2n+1-CF3 (n ≤ 9), полученные из распределения их электронной плотности. Проведена оптимизация геометрии десяти исследуемых структур, определены поверхности нулевого потока градиента электронной плотности и найдены бассейны атомных групп и атомов фтора. Для молекул трифторалканов получены и проанализированы групповые электронные интегральные характеристики: заряд q(R), энергия E(R) и объем V(R). Выявлена связь между длиной углеводородной цепи и переносимостью свойств выбранных групп СF3, СН3, СН2, что нашло отражение в их переносимых параметрах. Построена качественная шкала групповых электроотрицательностей изучаемого ряда и рассмотрен индуктивный эффект (I-эффект) фторсодержащего концевого фрагмента. Выявлено затухание I-эффекта в CnH2n+1-CF3 (n ≥ 6) на молекулярных фрагментах CF3-(CH2)4 и CH3-CH2, в связи с чем, начиная с n > 6, отмечено появление «стандартной» группы CH2. Описан выбор «стандартного» («переносимого») значения полной электронной энергии групп E(R) и вычисление относительной групповой энергии ΔE(R). Показано вызванное перетеканием электронной плотности уменьшение объемов двух групп СН2, расположенных рядом с СF3. Проведен сравнительный анализ зарядов всех выделенных в CnH2n+1-CF3 (n ≤ 9) групп с соответствующими q(R) в монофторзамещенных алканах, монофторалкильных радикалах, дифторзамещенных алканах, дифторалкильных радикалах. Данные по сравнению зарядовых характеристик идентичных групп и фторсодержащего фрагмента нонильных замещенных фтора и их радикалов изображены в виде графической зависимости, рассмотрение которой дает представление о затухании индуктивного эффекта от СF3.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Котомкин, А.В.
Русакова, Н.П.
Туровцев, В.В.
Орлов, Ю.Д.

Электронные параметры 1,1,1-трифторалканов [Текст] / А. В. Котомкин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2019. Т.62(1).- С.31-37

5.

Электронные параметры 1,1,1-трифторалканов [Текст] / А. В. Котомкин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2019. Т.62(1).- С.31-37


24.5
Э 45


    Электронные параметры 1,1,1-трифторалканов [Текст] / А. В. Котомкин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2019. - Т.62(1). - С. 31-37
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия. Химическая физика

Кл.слова (ненормированные):
индуктивный эффект -- электроотрицательность -- квантовая теория атомов в молекуле -- электронная плотность -- трифторалканы -- электронные параметры -- химия
Аннотация: На основании квантово-химических расчетов рассмотрены свойства групп гомологического ряда молекул третичных фторзамещенных углеводородов CnH2n+1-CF3 (n ≤ 9), полученные из распределения их электронной плотности. Проведена оптимизация геометрии десяти исследуемых структур, определены поверхности нулевого потока градиента электронной плотности и найдены бассейны атомных групп и атомов фтора. Для молекул трифторалканов получены и проанализированы групповые электронные интегральные характеристики: заряд q(R), энергия E(R) и объем V(R). Выявлена связь между длиной углеводородной цепи и переносимостью свойств выбранных групп СF3, СН3, СН2, что нашло отражение в их переносимых параметрах. Построена качественная шкала групповых электроотрицательностей изучаемого ряда и рассмотрен индуктивный эффект (I-эффект) фторсодержащего концевого фрагмента. Выявлено затухание I-эффекта в CnH2n+1-CF3 (n ≥ 6) на молекулярных фрагментах CF3-(CH2)4 и CH3-CH2, в связи с чем, начиная с n > 6, отмечено появление «стандартной» группы CH2. Описан выбор «стандартного» («переносимого») значения полной электронной энергии групп E(R) и вычисление относительной групповой энергии ΔE(R). Показано вызванное перетеканием электронной плотности уменьшение объемов двух групп СН2, расположенных рядом с СF3. Проведен сравнительный анализ зарядов всех выделенных в CnH2n+1-CF3 (n ≤ 9) групп с соответствующими q(R) в монофторзамещенных алканах, монофторалкильных радикалах, дифторзамещенных алканах, дифторалкильных радикалах. Данные по сравнению зарядовых характеристик идентичных групп и фторсодержащего фрагмента нонильных замещенных фтора и их радикалов изображены в виде графической зависимости, рассмотрение которой дает представление о затухании индуктивного эффекта от СF3.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Котомкин, А.В.
Русакова, Н.П.
Туровцев, В.В.
Орлов, Ю.Д.

24.5
Р 88

Русакова, Н. П.
    Электронное строение радикалов эфиров сульфоксиловой кислоты [Текст] / Н. П. Русакова // Химия и химическая технология. - 2019. - Т.62. - №10. - С. 96-102
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия

Кл.слова (ненормированные):
электронная плотность -- радикальный центр -- электроотрицательность -- индуктивный эффект -- спиновая плотность
Аннотация: Методом функционала плотности B3LYP/6-311++G(3df,3pd) проведена оптимизация геометрии радикалов эфиров сульфоксиловой кислоты. Получены распределения электронной плотности для первых девяти соединений гомологического ряда н-CH3-(CH2)n-(O-S-O)●, где n ≤ 8. Водородная связь, существующая в исходных молекулах неразветвленных эфиров сульфоксиловой кислоты между водородом второго углеродного атома алкильной цепи (от эфирной связи) и кислородом гидроксильной группы серосодержащего фрагмента (-C(Н)H-CH2-O-S-ОН), и соответствующий цикл в радикалах не наблюдаются. Предложена фрагментация структур на топологические группы CH3, CH2, и (-O-S-O)● и представлены их электронные интегральные характеристики: заряд, доля неспаренного электрона, энергия и объём. На основании закономерностей в зарядах групп гомологов установлена дальность и интенсивность индуктивного влияния фрагмента (-O-S-O)● и рассмотрено стерическое воздействие на углеводородную цепь. Шкала групповых электроотрицательностей изученных гомологов построена посредством сопоставления зарядов топологических групп. Анализ распределения спиновой плотности позволил отнести положение радикального центра фрагменту (-O-S-O)● (с долей неспаренного электрона в бассейне атома серы 0,57, в бассейне атома кислорода 0,32 и в бассейне кислорода по эфирной связи 0,10). Установлена величина вклада группы CH2 в полную энергию гомологов исследуемого ряда, которая составила 103260 кДж/моль. Получено «стандартное» значение полной электронной энергии и рассмотрены относительные энергии (ΔE(R)) групп в углеводородной цепи. Показано дестабилизирующее влияние более электроотрицательных фрагментов. Отмечено уменьшение объёмов двух групп CH2, ближайших к (-O-S-O)●, вызванное оттоком электронной плотности на (-O-S-O)●.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Туровцев , В.В.
Орлов, Ю.Д.
Котомкин, А.В.

Русакова, Н.П. Электронное строение радикалов эфиров сульфоксиловой кислоты [Текст] / Н. П. Русакова // Химия и химическая технология. - 2019. - Т.62. - №10.- С.96-102

6.

Русакова, Н.П. Электронное строение радикалов эфиров сульфоксиловой кислоты [Текст] / Н. П. Русакова // Химия и химическая технология. - 2019. - Т.62. - №10.- С.96-102


24.5
Р 88

Русакова, Н. П.
    Электронное строение радикалов эфиров сульфоксиловой кислоты [Текст] / Н. П. Русакова // Химия и химическая технология. - 2019. - Т.62. - №10. - С. 96-102
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия

Кл.слова (ненормированные):
электронная плотность -- радикальный центр -- электроотрицательность -- индуктивный эффект -- спиновая плотность
Аннотация: Методом функционала плотности B3LYP/6-311++G(3df,3pd) проведена оптимизация геометрии радикалов эфиров сульфоксиловой кислоты. Получены распределения электронной плотности для первых девяти соединений гомологического ряда н-CH3-(CH2)n-(O-S-O)●, где n ≤ 8. Водородная связь, существующая в исходных молекулах неразветвленных эфиров сульфоксиловой кислоты между водородом второго углеродного атома алкильной цепи (от эфирной связи) и кислородом гидроксильной группы серосодержащего фрагмента (-C(Н)H-CH2-O-S-ОН), и соответствующий цикл в радикалах не наблюдаются. Предложена фрагментация структур на топологические группы CH3, CH2, и (-O-S-O)● и представлены их электронные интегральные характеристики: заряд, доля неспаренного электрона, энергия и объём. На основании закономерностей в зарядах групп гомологов установлена дальность и интенсивность индуктивного влияния фрагмента (-O-S-O)● и рассмотрено стерическое воздействие на углеводородную цепь. Шкала групповых электроотрицательностей изученных гомологов построена посредством сопоставления зарядов топологических групп. Анализ распределения спиновой плотности позволил отнести положение радикального центра фрагменту (-O-S-O)● (с долей неспаренного электрона в бассейне атома серы 0,57, в бассейне атома кислорода 0,32 и в бассейне кислорода по эфирной связи 0,10). Установлена величина вклада группы CH2 в полную энергию гомологов исследуемого ряда, которая составила 103260 кДж/моль. Получено «стандартное» значение полной электронной энергии и рассмотрены относительные энергии (ΔE(R)) групп в углеводородной цепи. Показано дестабилизирующее влияние более электроотрицательных фрагментов. Отмечено уменьшение объёмов двух групп CH2, ближайших к (-O-S-O)●, вызванное оттоком электронной плотности на (-O-S-O)●.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Туровцев , В.В.
Орлов, Ю.Д.
Котомкин, А.В.


Колосов, В. А.
    Геополитическое положение на пороге XXI века / В. А. Колосов, Туровский Р.Ф. // Полис. - 2000. - #3.-С.40-60.. - ISSN 0321-2017

Рубрики: Внешняя политика

Кл.слова (ненормированные):
Геополитика -- Внешняя политика РФ -- Россия
Доп.точки доступа:
Туровский Р.Ф.

Колосов, В.А. Геополитическое положение на пороге XXI века [Текст] / В. А. Колосов, Туровский Р.Ф. // Полис. - 2000. - #3.-С.40-60.

7.

Колосов, В.А. Геополитическое положение на пороге XXI века [Текст] / В. А. Колосов, Туровский Р.Ф. // Полис. - 2000. - #3.-С.40-60.



Колосов, В. А.
    Геополитическое положение на пороге XXI века / В. А. Колосов, Туровский Р.Ф. // Полис. - 2000. - #3.-С.40-60.. - ISSN 0321-2017

Рубрики: Внешняя политика

Кл.слова (ненормированные):
Геополитика -- Внешняя политика РФ -- Россия
Доп.точки доступа:
Туровский Р.Ф.

Страница 1, Результатов: 7

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц