База данных: Статьи
Страница 1, Результатов: 1
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
22.379
Н 76
Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.
Н 76
Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.
Страница 1, Результатов: 1