Электронный каталог


 

База данных: Статьи

Страница 2, Результатов: 71

Отмеченные записи: 0

22.334
Ж 26

Жамашева, Г. А.
    Постоянные магниты. Магнитное поле постоянных магнитов. [Текст] / Г. А. Жамашева // Физика в казахстанской школе=Физика Қазақстан мектебінде. - 2017. - №3. - С. 18-21
ББК 22.334

Рубрики: Магнетизм

Кл.слова (ненормированные):
Постоянные магниты -- электрический ток -- заряд -- физический эксперимент -- металлы
Аннотация: В статье описано о постоянных магнитах, о знакомстве с их свойствами, применении в технических устройствах и с магнитным полем Земли.
Держатели документа:
ЗКГУ

Жамашева, Г.А. Постоянные магниты. Магнитное поле постоянных магнитов. [Текст] / Г. А. Жамашева // Физика в казахстанской школе=Физика Қазақстан мектебінде. - 2017. - №3.- С.18-21

11.

Жамашева, Г.А. Постоянные магниты. Магнитное поле постоянных магнитов. [Текст] / Г. А. Жамашева // Физика в казахстанской школе=Физика Қазақстан мектебінде. - 2017. - №3.- С.18-21


22.334
Ж 26

Жамашева, Г. А.
    Постоянные магниты. Магнитное поле постоянных магнитов. [Текст] / Г. А. Жамашева // Физика в казахстанской школе=Физика Қазақстан мектебінде. - 2017. - №3. - С. 18-21
ББК 22.334

Рубрики: Магнетизм

Кл.слова (ненормированные):
Постоянные магниты -- электрический ток -- заряд -- физический эксперимент -- металлы
Аннотация: В статье описано о постоянных магнитах, о знакомстве с их свойствами, применении в технических устройствах и с магнитным полем Земли.
Держатели документа:
ЗКГУ


Күзенбаев, Ж.
    Жоғары сыныпта конденсаторлардың құрылысы мен түрлерін оқыту әдістері. [Текст] / Ж. Күзенбаев // Физика . - 2017. - №3. - Б. 8-13
ББК 74.262.22

Рубрики: Физиканы оқыту әдістемесі

Кл.слова (ненормированные):
конденсатор -- жапсарлар -- электр заряды -- қуат -- электротехника -- сыйымдылық -- өткізгіштер
Аннотация: Мақала конденсаторлардың құрылысы және оның түрлері туралы. Конденсаторлардың техникада қолданылуы, негізгі формулаларын физика есептерін шығаруда қолдану.
Держатели документа:
БҚМУ

Күзенбаев, Ж. Жоғары сыныпта конденсаторлардың құрылысы мен түрлерін оқыту әдістері. [Текст] / Ж. Күзенбаев // Физика . - Алматы, 2017. - №3.- Б.8-13

12.

Күзенбаев, Ж. Жоғары сыныпта конденсаторлардың құрылысы мен түрлерін оқыту әдістері. [Текст] / Ж. Күзенбаев // Физика . - Алматы, 2017. - №3.- Б.8-13



Күзенбаев, Ж.
    Жоғары сыныпта конденсаторлардың құрылысы мен түрлерін оқыту әдістері. [Текст] / Ж. Күзенбаев // Физика . - 2017. - №3. - Б. 8-13
ББК 74.262.22

Рубрики: Физиканы оқыту әдістемесі

Кл.слова (ненормированные):
конденсатор -- жапсарлар -- электр заряды -- қуат -- электротехника -- сыйымдылық -- өткізгіштер
Аннотация: Мақала конденсаторлардың құрылысы және оның түрлері туралы. Конденсаторлардың техникада қолданылуы, негізгі формулаларын физика есептерін шығаруда қолдану.
Держатели документа:
БҚМУ

20.1
Ц 12

Цай, А. А.
    По просторам Иртыша [Текст] / А. А. Цай, А. Б. Алексеенко // Соқпақ - Тропинка. - 2018. - №4. - С. 35-36.
ББК 20.1

Рубрики: Экология.

Кл.слова (ненормированные):
водный поход -- семейный туризм -- подготовка к походу -- иртыш -- трудности -- проблемы
Аннотация: Все наши путешествия по реке наполнены событиями и позитивом. Они дарят заряд бодрости, незабываемых впечатлений , которые позволят туристам дождаться следующего года, чтобы вновь полюбоваться красотой родной природы.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Алексеенко, А.Б.

Цай, А.А. По просторам Иртыша [Текст] / А. А. Цай, А. Б. Алексеенко // Соқпақ - Тропинка. - 2018. - №4.- С35-36.

13.

Цай, А.А. По просторам Иртыша [Текст] / А. А. Цай, А. Б. Алексеенко // Соқпақ - Тропинка. - 2018. - №4.- С35-36.


20.1
Ц 12

Цай, А. А.
    По просторам Иртыша [Текст] / А. А. Цай, А. Б. Алексеенко // Соқпақ - Тропинка. - 2018. - №4. - С. 35-36.
ББК 20.1

Рубрики: Экология.

Кл.слова (ненормированные):
водный поход -- семейный туризм -- подготовка к походу -- иртыш -- трудности -- проблемы
Аннотация: Все наши путешествия по реке наполнены событиями и позитивом. Они дарят заряд бодрости, незабываемых впечатлений , которые позволят туристам дождаться следующего года, чтобы вновь полюбоваться красотой родной природы.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Алексеенко, А.Б.

24.5
А 39

Акишев, Ю. С.
    Низкотемпературная плазма при атмосферном давлении и ее возможности для приложений / Ю. С. Акишев // Известия высших учебных заведений. - Иваново, 2019. - Т.62. №8. - С. 26-60. - (Серия химия и химическая технология)
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия. Химическая физика

Кл.слова (ненормированные):
низкотемпературная плазма -- неравновесная плазма -- плазменная обработка -- физическая химия -- химическая физика -- плазмохимия -- холодная плазма -- плазмообразующий газ -- сильная неравновестность -- электронные пучки -- биомедицина -- плазмохимические модели
Аннотация: Объектом данного обзора является низкотемпературная (или «холодная») слабоионизованная сильно неравновесная плазма, создаваемая при атмосферном давлении в газах разного состава и непосредственно в атмосферном воздухе. Холодная плазма является сравнительно новым, но весьма перспективным объектом. Сильная неравновесность слабоионизованной плазмы приводит к тому, что энергичные электроны, несмотря на их малое количество, весьма эффективно возбуждают и диссоциируют содержащиеся в окружающем газе нейтральные частицы, например, молекулы кислорода и воды. Указанное свойство холодной плазмы ценно с практической точки зрения, поскольку позволяет создавать в плазмообразующем газе достаточно интенсивное ультрафиолетовое излучение, а также высокую концентрацию физически и биохимически активных частиц (метастабильные атомы и молекулы, радикалы, озон и другие реакционные соединения) сравнительно малыми удельными энергозатратами. В настоящее время с помощью холодной плазмы при атмосферном давлении удается решать многие практические задачи, ранее казавшиеся неразрешимыми. Можно даже утверждать, что именно подходы, основанные на использовании холодной плазмы в плотных газах, определяют современный прогресс во многих областях науки, техники, биомедицине и, в частности, в области химической технологии. В статье дан обзор современных методов создания неравновесной холодной плазмы при атмосферном давлении. Рассмотрены физические и химические особенности холодной плазмы в плотных газах. Особое внимание уделено зарядовой и колебательной кинетике в неравновесной плазме, кинетике электронно-возбужденных и метастабильных состояний, которые в итоге определяют биохимическую активность низкотемпературной плазмы. Много места уделено конкретным примерам современного практического применения такой плазмы в экологии для разрушения низкоконцентрированных вредных органических и неорганических примесей в загрязненных потоках воздуха при атмосферном давлении.
Держатели документа:
ЗКГУ

Акишев, Ю.С. Низкотемпературная плазма при атмосферном давлении и ее возможности для приложений [Текст] / Ю. С. Акишев // Известия высших учебных заведений. - Иваново, 2019. - Т.62. №8.- С.26-60

14.

Акишев, Ю.С. Низкотемпературная плазма при атмосферном давлении и ее возможности для приложений [Текст] / Ю. С. Акишев // Известия высших учебных заведений. - Иваново, 2019. - Т.62. №8.- С.26-60


24.5
А 39

Акишев, Ю. С.
    Низкотемпературная плазма при атмосферном давлении и ее возможности для приложений / Ю. С. Акишев // Известия высших учебных заведений. - Иваново, 2019. - Т.62. №8. - С. 26-60. - (Серия химия и химическая технология)
ББК 24.5

Рубрики: Физическая химия. Химическая физика

Кл.слова (ненормированные):
низкотемпературная плазма -- неравновесная плазма -- плазменная обработка -- физическая химия -- химическая физика -- плазмохимия -- холодная плазма -- плазмообразующий газ -- сильная неравновестность -- электронные пучки -- биомедицина -- плазмохимические модели
Аннотация: Объектом данного обзора является низкотемпературная (или «холодная») слабоионизованная сильно неравновесная плазма, создаваемая при атмосферном давлении в газах разного состава и непосредственно в атмосферном воздухе. Холодная плазма является сравнительно новым, но весьма перспективным объектом. Сильная неравновесность слабоионизованной плазмы приводит к тому, что энергичные электроны, несмотря на их малое количество, весьма эффективно возбуждают и диссоциируют содержащиеся в окружающем газе нейтральные частицы, например, молекулы кислорода и воды. Указанное свойство холодной плазмы ценно с практической точки зрения, поскольку позволяет создавать в плазмообразующем газе достаточно интенсивное ультрафиолетовое излучение, а также высокую концентрацию физически и биохимически активных частиц (метастабильные атомы и молекулы, радикалы, озон и другие реакционные соединения) сравнительно малыми удельными энергозатратами. В настоящее время с помощью холодной плазмы при атмосферном давлении удается решать многие практические задачи, ранее казавшиеся неразрешимыми. Можно даже утверждать, что именно подходы, основанные на использовании холодной плазмы в плотных газах, определяют современный прогресс во многих областях науки, техники, биомедицине и, в частности, в области химической технологии. В статье дан обзор современных методов создания неравновесной холодной плазмы при атмосферном давлении. Рассмотрены физические и химические особенности холодной плазмы в плотных газах. Особое внимание уделено зарядовой и колебательной кинетике в неравновесной плазме, кинетике электронно-возбужденных и метастабильных состояний, которые в итоге определяют биохимическую активность низкотемпературной плазмы. Много места уделено конкретным примерам современного практического применения такой плазмы в экологии для разрушения низкоконцентрированных вредных органических и неорганических примесей в загрязненных потоках воздуха при атмосферном давлении.
Держатели документа:
ЗКГУ

22.383
Ф 33

Федосимова, А. И.
    Флуктуации начальных условий ядро-ядерного взаимодействия и их влияние на распределение вторичных частиц [Текст] / А. И. Федосимова // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 21-29. - (Серия физическая)
ББК 22.383

Рубрики: Ядерная физика

Кл.слова (ненормированные):
кварк-глюонная плазма -- геометрия столкновения ядер -- метод фотоэммульсии -- фрагментация ядра -- взаимодействие ядер -- истинные динамические корреляции -- андронные системы -- ядро-снаряд -- протоны -- флуктуации -- геометрией столкновения ядер -- эллиптический поток
Аннотация: Динамика процессов взаимодействия ядер определяется не только энергией и массами взаимодействующих ядер, но и геометрией столкновения ядер. Учет влияния флуктуаций начальных условий в отдельных взаимодействиях позволяет исследовать истинные динамические корреляции конечных состояний во взаимодействиях, возбужденных адронных систем. Начальное состояние, о котором обычно очень мало прямой экспериментальной информации, приводит к существенным особенностям в распределении фрагментов и множественности ливневых частиц, исследование которых позволяет дать физическую интерпретацию результатов на основе различий в начальных условиях соударений. Исследование особенностей в распределениях вторичных частиц и фрагментов в соударениях тяжелых ионов с ядрами фотоэмульсии в зависимости от степени центральности и степени асимметрии взаимодействующих ядер проводилось на основе экспериментальных данных, включающих взаимодействия 197Au 10.7 АГэВ с ядрами фотоэмульсии Em. Представлены параметры фрагментации взаимодействующих ядер для центральных и периферических событий различной степени центральности (периферичности). В качестве экспериментальных критериев для отделения событий с динамическими флуктуациями, характеризующие особенности процесса взаимодействия, и событий с флуктуациями, связанными с флуктуациями начальных условий и зависящих от степени центральности (периферичности) взаимодействия были использованы параметры корреляционной зависимости множественности ливневых частиц и числа фрагментов ядра мишени. При этом также необходимо учитывать количество многозарядных фрагментов ядра-снаряда и распределение суммарного заряда фрагментов налетающего ядра, характеризующего число провзаимодействовавших протонов ядра-снаряда.
Держатели документа:
ЗКГУ

Федосимова, А.И. Флуктуации начальных условий ядро-ядерного взаимодействия и их влияние на распределение вторичных частиц [Текст] / А. И. Федосимова // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66).- С.21-29

15.

Федосимова, А.И. Флуктуации начальных условий ядро-ядерного взаимодействия и их влияние на распределение вторичных частиц [Текст] / А. И. Федосимова // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66).- С.21-29


22.383
Ф 33

Федосимова, А. И.
    Флуктуации начальных условий ядро-ядерного взаимодействия и их влияние на распределение вторичных частиц [Текст] / А. И. Федосимова // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 21-29. - (Серия физическая)
ББК 22.383

Рубрики: Ядерная физика

Кл.слова (ненормированные):
кварк-глюонная плазма -- геометрия столкновения ядер -- метод фотоэммульсии -- фрагментация ядра -- взаимодействие ядер -- истинные динамические корреляции -- андронные системы -- ядро-снаряд -- протоны -- флуктуации -- геометрией столкновения ядер -- эллиптический поток
Аннотация: Динамика процессов взаимодействия ядер определяется не только энергией и массами взаимодействующих ядер, но и геометрией столкновения ядер. Учет влияния флуктуаций начальных условий в отдельных взаимодействиях позволяет исследовать истинные динамические корреляции конечных состояний во взаимодействиях, возбужденных адронных систем. Начальное состояние, о котором обычно очень мало прямой экспериментальной информации, приводит к существенным особенностям в распределении фрагментов и множественности ливневых частиц, исследование которых позволяет дать физическую интерпретацию результатов на основе различий в начальных условиях соударений. Исследование особенностей в распределениях вторичных частиц и фрагментов в соударениях тяжелых ионов с ядрами фотоэмульсии в зависимости от степени центральности и степени асимметрии взаимодействующих ядер проводилось на основе экспериментальных данных, включающих взаимодействия 197Au 10.7 АГэВ с ядрами фотоэмульсии Em. Представлены параметры фрагментации взаимодействующих ядер для центральных и периферических событий различной степени центральности (периферичности). В качестве экспериментальных критериев для отделения событий с динамическими флуктуациями, характеризующие особенности процесса взаимодействия, и событий с флуктуациями, связанными с флуктуациями начальных условий и зависящих от степени центральности (периферичности) взаимодействия были использованы параметры корреляционной зависимости множественности ливневых частиц и числа фрагментов ядра мишени. При этом также необходимо учитывать количество многозарядных фрагментов ядра-снаряда и распределение суммарного заряда фрагментов налетающего ядра, характеризующего число провзаимодействовавших протонов ядра-снаряда.
Держатели документа:
ЗКГУ

22.333
К 93

Курбанов, Ф.
    Химическая модель трехкомпонентной пылевой плазмы [Текст] / Ф. Курбанов, А. Е. Давлетов, Е. С. Мухаметкаримов // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 30-38. - ( Серия физическая)
ББК 22.333

Рубрики: Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
пылевая плазма -- самосогласованная химическая модель -- свободная энергия -- химическая модель -- свободная энергия -- интегро-дифференциального уравнения Больцмана-Пуассона -- уравнения Боголюбова -- алгебраические уравнения -- Фурье-пространство -- потенциал Кулона -- трехкомпонентная пылевая плазма -- электрический заряд -- электроны -- ионы
Аннотация: В работе развивается химическая модель трехкомпонентной пылевой плазмы, состоящей из электронов, протонов и пылевых частиц. Концентрация протонов считается фиксированной, а поглощение электронов пылинками рассматривается как связанные состояния, определяемые работой выхода электронов. Получено выражение для свободной энергии системы, которая включает в себя идеальную и неидеальную части. Вклад взаимодействий между частицами рассматривается в рамках обобщенного интегро-дифференциального уравнения Больцмана - Пуассона, полученного из цепочки уравнений Боголюбова для равновесных функций распределения в приближении парных корреляций. Данное уравнение легко решается и трансформируется в систему алгебраических уравнений при переходе в Фурье-пространство и использования свойств дельта функции. Для проведения численных расчетов были выбраны потенциал Кулона в качестве взаимодействия электронов и протонов между собой в отсутствии плазменной среды, и идентичный потенциал с поправкой на конечность размеров для взаимодействия пылевых частиц. Численный расчет показывает, что свободная энергия трехкомпонентной пылевой плазмы является функцией единственного параметра и имеет ярко выраженный минимум, что может быть использовано для определения электрического заряда пылинок, находящихся в буферной плазме.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Давлетов, А.Е.
Мухаметкаримов, Е.С.

Курбанов, Ф. Химическая модель трехкомпонентной пылевой плазмы [Текст] / Ф. Курбанов, А. Е. Давлетов, Е. С. Мухаметкаримов // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66).- С.30-38

16.

Курбанов, Ф. Химическая модель трехкомпонентной пылевой плазмы [Текст] / Ф. Курбанов, А. Е. Давлетов, Е. С. Мухаметкаримов // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66).- С.30-38


22.333
К 93

Курбанов, Ф.
    Химическая модель трехкомпонентной пылевой плазмы [Текст] / Ф. Курбанов, А. Е. Давлетов, Е. С. Мухаметкаримов // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 30-38. - ( Серия физическая)
ББК 22.333

Рубрики: Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
пылевая плазма -- самосогласованная химическая модель -- свободная энергия -- химическая модель -- свободная энергия -- интегро-дифференциального уравнения Больцмана-Пуассона -- уравнения Боголюбова -- алгебраические уравнения -- Фурье-пространство -- потенциал Кулона -- трехкомпонентная пылевая плазма -- электрический заряд -- электроны -- ионы
Аннотация: В работе развивается химическая модель трехкомпонентной пылевой плазмы, состоящей из электронов, протонов и пылевых частиц. Концентрация протонов считается фиксированной, а поглощение электронов пылинками рассматривается как связанные состояния, определяемые работой выхода электронов. Получено выражение для свободной энергии системы, которая включает в себя идеальную и неидеальную части. Вклад взаимодействий между частицами рассматривается в рамках обобщенного интегро-дифференциального уравнения Больцмана - Пуассона, полученного из цепочки уравнений Боголюбова для равновесных функций распределения в приближении парных корреляций. Данное уравнение легко решается и трансформируется в систему алгебраических уравнений при переходе в Фурье-пространство и использования свойств дельта функции. Для проведения численных расчетов были выбраны потенциал Кулона в качестве взаимодействия электронов и протонов между собой в отсутствии плазменной среды, и идентичный потенциал с поправкой на конечность размеров для взаимодействия пылевых частиц. Численный расчет показывает, что свободная энергия трехкомпонентной пылевой плазмы является функцией единственного параметра и имеет ярко выраженный минимум, что может быть использовано для определения электрического заряда пылинок, находящихся в буферной плазме.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Давлетов, А.Е.
Мухаметкаримов, Е.С.

22.379
Н 76


    Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
ББК 22.379

Рубрики: Физика полупроводников

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.

Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66).- С.46-54

17.

Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66).- С.46-54


22.379
Н 76


    Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
ББК 22.379

Рубрики: Физика полупроводников

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.

22.333
К 47


    Классическое рассеяние иона под влиянием эффекта поляризации пылевых частиц [Текст] / Т. С. Рамазанов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 44-50. - (Серия физическая)
ББК 22.333

Рубрики: Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
Комплексная плазма -- сечение рассеяния -- сечение поглощения -- эффект поляризации пылевых частиц -- ионы -- пылевые частицы -- ионно-пылевая связь -- криогенная пылевая плазма -- физика плазмы
Аннотация: В данной работе были исследованы классические процессы рассеяния и поглощения ионов пылевой частицей. Были получены поправки к классическим сечениям рассеяния и поглощения ионов за счет эффекта поляризации пылевых частиц, для низко заряженной пылевой частицы (с зарядом Z = 10). При исследовании газов с низкой плотностью и степенью ионизации или при наличии относительно слабого излучения в межзвездном пространстве важно знать динамику пылевой частицы с низким зарядом. Траектория иона вокруг пылевой частицы используется для визуальной иллюстрации влияния поляризации пылевых частиц на рассеяние. Поправка к сечению рассеяния из-за поляризации пылевых частиц может быть до 25%, в режиме сильной ионно-пылевой связи и до 10% в случае с умеренной связью. Коррекция к сечению поглощения оказывается почти постоянной ( 14%) для умеренной, а также сильной ионно-пылевой связи. Полученные результаты показывают, что эффект поляризации пылевых частиц важен для понимания динамики пылевых частиц в криогенной пылевой плазме.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Рамазанов, Т.С.
Коданова, С.К.
Бастыкова, Н.Х.
Молдабеков, Ж.А.
Агатаева, А.А.

Классическое рассеяние иона под влиянием эффекта поляризации пылевых частиц [Текст] / Т. С. Рамазанов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65).- С.44-50

18.

Классическое рассеяние иона под влиянием эффекта поляризации пылевых частиц [Текст] / Т. С. Рамазанов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65).- С.44-50


22.333
К 47


    Классическое рассеяние иона под влиянием эффекта поляризации пылевых частиц [Текст] / Т. С. Рамазанов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 44-50. - (Серия физическая)
ББК 22.333

Рубрики: Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
Комплексная плазма -- сечение рассеяния -- сечение поглощения -- эффект поляризации пылевых частиц -- ионы -- пылевые частицы -- ионно-пылевая связь -- криогенная пылевая плазма -- физика плазмы
Аннотация: В данной работе были исследованы классические процессы рассеяния и поглощения ионов пылевой частицей. Были получены поправки к классическим сечениям рассеяния и поглощения ионов за счет эффекта поляризации пылевых частиц, для низко заряженной пылевой частицы (с зарядом Z = 10). При исследовании газов с низкой плотностью и степенью ионизации или при наличии относительно слабого излучения в межзвездном пространстве важно знать динамику пылевой частицы с низким зарядом. Траектория иона вокруг пылевой частицы используется для визуальной иллюстрации влияния поляризации пылевых частиц на рассеяние. Поправка к сечению рассеяния из-за поляризации пылевых частиц может быть до 25%, в режиме сильной ионно-пылевой связи и до 10% в случае с умеренной связью. Коррекция к сечению поглощения оказывается почти постоянной ( 14%) для умеренной, а также сильной ионно-пылевой связи. Полученные результаты показывают, что эффект поляризации пылевых частиц важен для понимания динамики пылевых частиц в криогенной пылевой плазме.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Рамазанов, Т.С.
Коданова, С.К.
Бастыкова, Н.Х.
Молдабеков, Ж.А.
Агатаева, А.А.

22.3
В 58


    Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 68-75. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки SnO2 -- изотермический отжиг -- легирование фтором -- золь гель метод -- прозрачность -- поверхностное сопротивление -- адсорбционная чувствительность -- пары этанола -- этанол -- физика
Аннотация: В данной статье проведен сравнительный анализ влияния изотермического отжига (400°С) на оптические спектры пропускания, поверхностное сопротивление и адсорбционную чувствительность к парам этанола пленок оксида олова легированных ионами фтора и пленок, полученных без добавления фторирующего агента. Показано увеличение прозрачности пленок при отжиге в течение 3-х часов. Дальнейший отжиг приводит к существенному снижению прозрачности тонких пленок. Рассчитанная из спектров пропускания ширина запрещенной зоны изучаемых пленок соответствует значению ширины запрещенной зоны SnO2 при комнатной температуре (Eg = 3,6 эВ). Значение ширины запрещенной зоны пленок, полученных из золя с добавлением NH4F, с длительностью отжига менялась в пределах точности измерений. С увеличением длительности отжига пленок поверхностное сопротивление увеличивается. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, обладают меньшим поверхностным сопротивлением, чем пленки, полученные из золя без добавок. Что подтверждает наличие в составе пленок ионов фтора в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Показано, что увеличение длительности отжига при 400оС до трех часов приводит к увеличению поверхностного сопротивления и уменьшению чувствительности к парам этанола. Что, возможно, связано с уменьшением мелких дефектов и разрывам связей между отдельными частицами золя. Шестичасовой отжиг при 400оС приводит к еще большему увеличению поверхностного сопротивления и увеличению чувствительности к парам этанола. Возможно, это связано с появлением микротрещин и разрушением отдельных частиц золя.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дмитриева, Е.А.
Мухамедшина, Д.М.
Мить, К.А.
Лебедев, И.А.
Грушевская, Е.А.

Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65).- С.68-75

19.

Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65).- С.68-75


22.3
В 58


    Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 68-75. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки SnO2 -- изотермический отжиг -- легирование фтором -- золь гель метод -- прозрачность -- поверхностное сопротивление -- адсорбционная чувствительность -- пары этанола -- этанол -- физика
Аннотация: В данной статье проведен сравнительный анализ влияния изотермического отжига (400°С) на оптические спектры пропускания, поверхностное сопротивление и адсорбционную чувствительность к парам этанола пленок оксида олова легированных ионами фтора и пленок, полученных без добавления фторирующего агента. Показано увеличение прозрачности пленок при отжиге в течение 3-х часов. Дальнейший отжиг приводит к существенному снижению прозрачности тонких пленок. Рассчитанная из спектров пропускания ширина запрещенной зоны изучаемых пленок соответствует значению ширины запрещенной зоны SnO2 при комнатной температуре (Eg = 3,6 эВ). Значение ширины запрещенной зоны пленок, полученных из золя с добавлением NH4F, с длительностью отжига менялась в пределах точности измерений. С увеличением длительности отжига пленок поверхностное сопротивление увеличивается. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, обладают меньшим поверхностным сопротивлением, чем пленки, полученные из золя без добавок. Что подтверждает наличие в составе пленок ионов фтора в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Показано, что увеличение длительности отжига при 400оС до трех часов приводит к увеличению поверхностного сопротивления и уменьшению чувствительности к парам этанола. Что, возможно, связано с уменьшением мелких дефектов и разрывам связей между отдельными частицами золя. Шестичасовой отжиг при 400оС приводит к еще большему увеличению поверхностного сопротивления и увеличению чувствительности к парам этанола. Возможно, это связано с появлением микротрещин и разрушением отдельных частиц золя.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дмитриева, Е.А.
Мухамедшина, Д.М.
Мить, К.А.
Лебедев, И.А.
Грушевская, Е.А.

22.3
Э 45


    Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.

Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64).- С.32-38

20.

Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64).- С.32-38


22.3
Э 45


    Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.

Страница 2, Результатов: 71

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц