База данных: Статьи
Страница 2, Результатов: 13
Отмеченные записи: 0
11.
Подробнее
24
К 55
Кочеткова, Е. С.
Вариативность проектов по исследованию аскорбиновой кислоты. [Текст] / Е. С. Кочеткова // Химия в школе . - 2021. - №2. - С. 70-73
ББК 24
Рубрики: химия
Кл.слова (ненормированные):
проектная деятельность -- аскорбиновая кислота -- иодометрическое титрование
Аннотация: Автор предлагает еще один вариант организации проектной деятельности по данной тематике, особенность которого заключается в создании исследовательской группы из нескольких учащихся и вариативности задач , связанных с общей экспериментальной методикой.
Держатели документа:
ЗКУ
К 55
Кочеткова, Е. С.
Вариативность проектов по исследованию аскорбиновой кислоты. [Текст] / Е. С. Кочеткова // Химия в школе . - 2021. - №2. - С. 70-73
Рубрики: химия
Кл.слова (ненормированные):
проектная деятельность -- аскорбиновая кислота -- иодометрическое титрование
Аннотация: Автор предлагает еще один вариант организации проектной деятельности по данной тематике, особенность которого заключается в создании исследовательской группы из нескольких учащихся и вариативности задач , связанных с общей экспериментальной методикой.
Держатели документа:
ЗКУ
12.
Подробнее
24
C51
Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
ББК 24
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.
C51
Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.
13.
Подробнее
24
К 43
Киреев, С. Ю.
Электроосаждение индия из сульфатного электролита с галогенид-анионами. [Текст] / С. Ю. Киреев, С. Н. Киреев // Известия высших учебных заведений . - 2021. - Т.64. Вып.10. - С. 65-71
ББК 24
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
индий -- гальванические покрытия -- импульсный электролиз -- поляризационные кривые -- галогенид-анионы
Аннотация: Проведено исследование влияния галогенид-анионов (фторидов, хлоридов, бромидов и иодидов) на процесс электрохимической кристаллизации индия из кислого сульфатно-галогенидного электролита с использованием стационарного и гальваностатического униполярного импульсного электролиза. Экспериментально установлено, что при содержании сульфата индия (III) 0,087 моль/л, серной кислоты 0,185 моль/л и блескообразующей добавки Лимеда БК-10А 2 мл/л введение фторидов до 1,00 моль/л не приводит к формированию покрытий индием на поверхности катода. Добавление хлоридов, бромидов и иодидов резко увеличивает скорость процесса формирования покрытий индием и увеличивает катодный выход индия по току. Определен диапазон концентраций хлорид-анионов (0,34···0,42 моль/л), при котором наблюдается электроосаждение покрытий наилучшего качества с высоким выходом по току. С увеличением порядкового номера галогена в Периодической системе Д.И. Менделеева возрастает степень его влияния на катодный процесс формирования покрытий индием. Галогенид-анионы в электролите образуют комплексные соединения индия, что доказывается смещением катодных потенциодинамических кривых в область более отрицательных значений потенциалов. Однако, при наличии в электролите бромидов и иодидов при пропускании электрического тока обнаружено образование малорастворимых моногалогенидов индия, нарушающих стабильность электролита и препятствующих его промышленному использованию. Определено влияние добавки Лимеда БК-10А на выход индия по току. Исследован процесс электроосаждения индия из сульфатно-хлоридного электролита с использованием гальваностатических импульсов прямоугольной формы, исследованы зависимости выхода по току индия от длительности импульсов, их скважности и амплитуды. Доказана возможность использования на практике комбинированных индиевых и инертных анодов. Изучены свойства индиевых покрытий из сульфатно-хлоридного электролита.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Киреев, С.Н.
К 43
Киреев, С. Ю.
Электроосаждение индия из сульфатного электролита с галогенид-анионами. [Текст] / С. Ю. Киреев, С. Н. Киреев // Известия высших учебных заведений . - 2021. - Т.64. Вып.10. - С. 65-71
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
индий -- гальванические покрытия -- импульсный электролиз -- поляризационные кривые -- галогенид-анионы
Аннотация: Проведено исследование влияния галогенид-анионов (фторидов, хлоридов, бромидов и иодидов) на процесс электрохимической кристаллизации индия из кислого сульфатно-галогенидного электролита с использованием стационарного и гальваностатического униполярного импульсного электролиза. Экспериментально установлено, что при содержании сульфата индия (III) 0,087 моль/л, серной кислоты 0,185 моль/л и блескообразующей добавки Лимеда БК-10А 2 мл/л введение фторидов до 1,00 моль/л не приводит к формированию покрытий индием на поверхности катода. Добавление хлоридов, бромидов и иодидов резко увеличивает скорость процесса формирования покрытий индием и увеличивает катодный выход индия по току. Определен диапазон концентраций хлорид-анионов (0,34···0,42 моль/л), при котором наблюдается электроосаждение покрытий наилучшего качества с высоким выходом по току. С увеличением порядкового номера галогена в Периодической системе Д.И. Менделеева возрастает степень его влияния на катодный процесс формирования покрытий индием. Галогенид-анионы в электролите образуют комплексные соединения индия, что доказывается смещением катодных потенциодинамических кривых в область более отрицательных значений потенциалов. Однако, при наличии в электролите бромидов и иодидов при пропускании электрического тока обнаружено образование малорастворимых моногалогенидов индия, нарушающих стабильность электролита и препятствующих его промышленному использованию. Определено влияние добавки Лимеда БК-10А на выход индия по току. Исследован процесс электроосаждения индия из сульфатно-хлоридного электролита с использованием гальваностатических импульсов прямоугольной формы, исследованы зависимости выхода по току индия от длительности импульсов, их скважности и амплитуды. Доказана возможность использования на практике комбинированных индиевых и инертных анодов. Изучены свойства индиевых покрытий из сульфатно-хлоридного электролита.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Киреев, С.Н.
Страница 2, Результатов: 13