База данных: Статьи
Страница 1, Результатов: 39
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
2
М 23
Манаков, С. М.
Исследование эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля [Текст] / С. М. Манаков // Әл-Фараби атындағы қазақ ұлттық университетінің хабаршысы=Вестник Казахского национального университета им. аль-Фараби. - 2015. - №1(52). - С. 23-29. - (Серия физическая)
ББК 2
Рубрики: Естественные науки
Кл.слова (ненормированные):
арсенид -- эпитаксильные пленки -- электронная микроскопия -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: В статье ведется работа по исследованию эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля
Держатели документа:
ЗКГУ им. М. Утемисова
М 23
Манаков, С. М.
Исследование эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля [Текст] / С. М. Манаков // Әл-Фараби атындағы қазақ ұлттық университетінің хабаршысы=Вестник Казахского национального университета им. аль-Фараби. - 2015. - №1(52). - С. 23-29. - (Серия физическая)
Рубрики: Естественные науки
Кл.слова (ненормированные):
арсенид -- эпитаксильные пленки -- электронная микроскопия -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: В статье ведется работа по исследованию эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля
Держатели документа:
ЗКГУ им. М. Утемисова
2.
Подробнее
22.3
Б 19
Бакранова, Д. И.
Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 46-51. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- карбид кремния -- дилатационный диполь -- структура пленок -- эпитаксиальная пленка -- кристаллизация -- замещения атомов
Аннотация: В данной работе методами рентгеновской дифракции, электронографии, атомно-силовой микроскопии и рамановской микроскопии исследованы структура, фазовый состав и микроструктура поверхности пленки SіC, синтезированной методом замещения атомов в высокоомном с-Sі ориентации (111) в смеси газов СО и SіН4 (264 Па, 1250С,15мин).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С.А.
Нусупов, К.Х.
Осипов, А.В.
Бейсенханов, Н.Б.
Б 19
Бакранова, Д. И.
Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 46-51. - (Физика сериясы = Серия физическая )
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- карбид кремния -- дилатационный диполь -- структура пленок -- эпитаксиальная пленка -- кристаллизация -- замещения атомов
Аннотация: В данной работе методами рентгеновской дифракции, электронографии, атомно-силовой микроскопии и рамановской микроскопии исследованы структура, фазовый состав и микроструктура поверхности пленки SіC, синтезированной методом замещения атомов в высокоомном с-Sі ориентации (111) в смеси газов СО и SіН4 (264 Па, 1250С,15мин).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С.А.
Нусупов, К.Х.
Осипов, А.В.
Бейсенханов, Н.Б.
3.
Подробнее
22.3
Н 50
Немкаева, Р. Р.
Сравнение методик атомно-силовой микроскопии при исследовании аморфных углеродных пленок [Текст] / Р. Р. Немкаева, Е. С. Мухаметкаримов, Б. Е. Алпысбаева // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 88-92. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- полуконтактная методика -- контактная методика -- адгезия пленки -- измерение толщины -- погрешность -- аморфная углеродная пленка -- физика
Аннотация: В работе представлены результаты исследования аморфной углеродной пленки методами атомно-силовой микроскопии.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Мухаметкаримов, Е.С.
Алпысбаева, Б.Е.
Н 50
Немкаева, Р. Р.
Сравнение методик атомно-силовой микроскопии при исследовании аморфных углеродных пленок [Текст] / Р. Р. Немкаева, Е. С. Мухаметкаримов, Б. Е. Алпысбаева // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 88-92. - (Физика сериясы = Серия физическая )
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- полуконтактная методика -- контактная методика -- адгезия пленки -- измерение толщины -- погрешность -- аморфная углеродная пленка -- физика
Аннотация: В работе представлены результаты исследования аморфной углеродной пленки методами атомно-силовой микроскопии.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Мухаметкаримов, Е.С.
Алпысбаева, Б.Е.
4.
Подробнее
22.3
М 90
Мукаш, Ж. О.
Зависимость оптических и электрических свойств слоев ZNO:В от температуры гидротермального синтеза [Текст] / Ж. О. Мукаш, Н. К. Даутбекова [и др.] // әл-Фараби ат. Қазақ Ұлттық университетінің хабаршысы = Вестник Казахского Национального университета им. аль-Фараби . - Алматы, 2016. - №4(59). - С. 64-69. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид цинка -- легирование бором -- гидротермальный метод -- спектры пропускания -- спектры поглощения -- электрические свойства -- фотолюминесценция
Аннотация: Определены технологические параметры гидротермального метода синтеза тонких пленок оксида цинка, разработаны методы синтеза слоев ZnO, легированных бором.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Даутбекова, Н.К.
Саитова, Н.К.
Гриценко, Л.В.
Гусейнов, Н.Р.
Кумеков, С.Е.
Абдуллин, Х.А.
М 90
Мукаш, Ж. О.
Зависимость оптических и электрических свойств слоев ZNO:В от температуры гидротермального синтеза [Текст] / Ж. О. Мукаш, Н. К. Даутбекова [и др.] // әл-Фараби ат. Қазақ Ұлттық университетінің хабаршысы = Вестник Казахского Национального университета им. аль-Фараби . - Алматы, 2016. - №4(59). - С. 64-69. - (Физика сериясы = Серия физическая )
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид цинка -- легирование бором -- гидротермальный метод -- спектры пропускания -- спектры поглощения -- электрические свойства -- фотолюминесценция
Аннотация: Определены технологические параметры гидротермального метода синтеза тонких пленок оксида цинка, разработаны методы синтеза слоев ZnO, легированных бором.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Даутбекова, Н.К.
Саитова, Н.К.
Гриценко, Л.В.
Гусейнов, Н.Р.
Кумеков, С.Е.
Абдуллин, Х.А.
5.
Подробнее
22.3
М 90
Мукаш, Ж. О.
Влияние продолжительности гидротермального синтеза на свойства прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка [Текст] / Ж. О. Мукаш, Н. К. Саитова [и др.] // әл-Фараби ат. Қазақ Ұлттық университетінің хабаршысы = Вестник Казахского Национального университета им. аль-Фараби . - Алматы, 2016. - №4(59). - С. 70-76. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид цинка -- легирование -- бор -- алюминий -- гидротермальный метод -- спектр пропускания -- спектр поглощения -- электрические свойства -- физика
Аннотация: Определены параметры гидротермального синтеза для направленного получения как слоев, содержащих массивы наностержней, так и сплошных однородных пленок оксида цинка, легированного бором (BZO) и алюминием (AZO).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Саитова, Н.К.
Гриценко, Л.В.
Калкозова, Ж.К.
Кумеков, С.Е.
Абдуллин, Х.А.
М 90
Мукаш, Ж. О.
Влияние продолжительности гидротермального синтеза на свойства прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка [Текст] / Ж. О. Мукаш, Н. К. Саитова [и др.] // әл-Фараби ат. Қазақ Ұлттық университетінің хабаршысы = Вестник Казахского Национального университета им. аль-Фараби . - Алматы, 2016. - №4(59). - С. 70-76. - (Физика сериясы = Серия физическая )
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- оксид цинка -- легирование -- бор -- алюминий -- гидротермальный метод -- спектр пропускания -- спектр поглощения -- электрические свойства -- физика
Аннотация: Определены параметры гидротермального синтеза для направленного получения как слоев, содержащих массивы наностержней, так и сплошных однородных пленок оксида цинка, легированного бором (BZO) и алюминием (AZO).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Саитова, Н.К.
Гриценко, Л.В.
Калкозова, Ж.К.
Кумеков, С.Е.
Абдуллин, Х.А.
6.
Подробнее
22.3
В 58
Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 68-75. - (Серия физическая)
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки SnO2 -- изотермический отжиг -- легирование фтором -- золь гель метод -- прозрачность -- поверхностное сопротивление -- адсорбционная чувствительность -- пары этанола -- этанол -- физика
Аннотация: В данной статье проведен сравнительный анализ влияния изотермического отжига (400°С) на оптические спектры пропускания, поверхностное сопротивление и адсорбционную чувствительность к парам этанола пленок оксида олова легированных ионами фтора и пленок, полученных без добавления фторирующего агента. Показано увеличение прозрачности пленок при отжиге в течение 3-х часов. Дальнейший отжиг приводит к существенному снижению прозрачности тонких пленок. Рассчитанная из спектров пропускания ширина запрещенной зоны изучаемых пленок соответствует значению ширины запрещенной зоны SnO2 при комнатной температуре (Eg = 3,6 эВ). Значение ширины запрещенной зоны пленок, полученных из золя с добавлением NH4F, с длительностью отжига менялась в пределах точности измерений. С увеличением длительности отжига пленок поверхностное сопротивление увеличивается. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, обладают меньшим поверхностным сопротивлением, чем пленки, полученные из золя без добавок. Что подтверждает наличие в составе пленок ионов фтора в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Показано, что увеличение длительности отжига при 400оС до трех часов приводит к увеличению поверхностного сопротивления и уменьшению чувствительности к парам этанола. Что, возможно, связано с уменьшением мелких дефектов и разрывам связей между отдельными частицами золя. Шестичасовой отжиг при 400оС приводит к еще большему увеличению поверхностного сопротивления и увеличению чувствительности к парам этанола. Возможно, это связано с появлением микротрещин и разрушением отдельных частиц золя.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дмитриева, Е.А.
Мухамедшина, Д.М.
Мить, К.А.
Лебедев, И.А.
Грушевская, Е.А.
В 58
Влияние изотермического отжига на оптические и электрические свойства тонких пленок SNO2, легированных фтором [Текст] / Е. А. Дмитриева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №2(65). - С. 68-75. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки SnO2 -- изотермический отжиг -- легирование фтором -- золь гель метод -- прозрачность -- поверхностное сопротивление -- адсорбционная чувствительность -- пары этанола -- этанол -- физика
Аннотация: В данной статье проведен сравнительный анализ влияния изотермического отжига (400°С) на оптические спектры пропускания, поверхностное сопротивление и адсорбционную чувствительность к парам этанола пленок оксида олова легированных ионами фтора и пленок, полученных без добавления фторирующего агента. Показано увеличение прозрачности пленок при отжиге в течение 3-х часов. Дальнейший отжиг приводит к существенному снижению прозрачности тонких пленок. Рассчитанная из спектров пропускания ширина запрещенной зоны изучаемых пленок соответствует значению ширины запрещенной зоны SnO2 при комнатной температуре (Eg = 3,6 эВ). Значение ширины запрещенной зоны пленок, полученных из золя с добавлением NH4F, с длительностью отжига менялась в пределах точности измерений. С увеличением длительности отжига пленок поверхностное сопротивление увеличивается. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, обладают меньшим поверхностным сопротивлением, чем пленки, полученные из золя без добавок. Что подтверждает наличие в составе пленок ионов фтора в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Показано, что увеличение длительности отжига при 400оС до трех часов приводит к увеличению поверхностного сопротивления и уменьшению чувствительности к парам этанола. Что, возможно, связано с уменьшением мелких дефектов и разрывам связей между отдельными частицами золя. Шестичасовой отжиг при 400оС приводит к еще большему увеличению поверхностного сопротивления и увеличению чувствительности к парам этанола. Возможно, это связано с появлением микротрещин и разрушением отдельных частиц золя.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дмитриева, Е.А.
Мухамедшина, Д.М.
Мить, К.А.
Лебедев, И.А.
Грушевская, Е.А.
7.
Подробнее
31.63
И 85
Исследование электрических характеристик пленок оксидов меди методом Холловских измерений [Текст] / В. С. Антощенко [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 4-11. - (Серия физическая)
ББК 31.63
Рубрики: Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
Оксид меди -- Эффект Холла -- Фазовый состав -- CVD -- Холловские измерения -- электрические характеристики -- вакуумный отжиг -- величина подвижности -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Изучены электрические характеристики пленок оксидов меди, полученных оригинальным методом «in situ CVD». Пленки синтезировали за различное время при температуре 400оС в воздушно-аргоновой смеси с использованием порошкового металлического источника с зернистостью 100, 200 или 300 меш, активированного монохлоридом меди. Толщина слоя порошка составляла 0,9 мм. Подложками служили покровные боросиликатные стекла размером 25х25 мм2 толщиной 0,17 мм. Измерения выполняли методом Ван-дер-Пау на установке «Ecopia Hall Effect Measurement System (HMS-3000)». Толщину пленок определяли гравиметрическим методом. Изучалось влияние фракционного состава порошкового источника и времени синтеза на электрические характеристики пленок оксидов меди. Для интерпретации полученных результатов образцы пленок изучались методами оптической микрофотографии и рамановской спектроскопии. Холловские измерения показали, что все образцы обладали р- типом проводимости с (NA-ND)=(1-9)Е15. Для порошков 100 и 200 меш с ростом времени синтеза концентрация дырок сначала быстро падала, а при времени синтеза более 5 минут наблюдалось ее медленное понижение. Для порошка 300 меш концентрация дырок оставалась практически постоянной при всех временах синтеза. Исследование зависимостей подвижности от времени синтеза показало их колоколообразный характер. Максимальная величина подвижности дырок равная 47 см2В-1.с- была получена для пленок Cu2O, синтезированных за время 30 мин. из порошков 100 меш. Удельное сопротивление пленок слабо зависело от времени синтеза и менялось в диапазоне от 100 до 260 Ом.см в зависимости от зернистости порошка источника. Предложено объяснение полученных результатов изменением фазового состава пленок оксидов меди.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Антощенко, В.С.
Мигунова, А.А.
Францев, Ю.В.
Лаврищев, О.А.
Немкаева, Р.Р.
Иминова, Н.А.
И 85
Исследование электрических характеристик пленок оксидов меди методом Холловских измерений [Текст] / В. С. Антощенко [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 4-11. - (Серия физическая)
Рубрики: Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
Оксид меди -- Эффект Холла -- Фазовый состав -- CVD -- Холловские измерения -- электрические характеристики -- вакуумный отжиг -- величина подвижности -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Изучены электрические характеристики пленок оксидов меди, полученных оригинальным методом «in situ CVD». Пленки синтезировали за различное время при температуре 400оС в воздушно-аргоновой смеси с использованием порошкового металлического источника с зернистостью 100, 200 или 300 меш, активированного монохлоридом меди. Толщина слоя порошка составляла 0,9 мм. Подложками служили покровные боросиликатные стекла размером 25х25 мм2 толщиной 0,17 мм. Измерения выполняли методом Ван-дер-Пау на установке «Ecopia Hall Effect Measurement System (HMS-3000)». Толщину пленок определяли гравиметрическим методом. Изучалось влияние фракционного состава порошкового источника и времени синтеза на электрические характеристики пленок оксидов меди. Для интерпретации полученных результатов образцы пленок изучались методами оптической микрофотографии и рамановской спектроскопии. Холловские измерения показали, что все образцы обладали р- типом проводимости с (NA-ND)=(1-9)Е15. Для порошков 100 и 200 меш с ростом времени синтеза концентрация дырок сначала быстро падала, а при времени синтеза более 5 минут наблюдалось ее медленное понижение. Для порошка 300 меш концентрация дырок оставалась практически постоянной при всех временах синтеза. Исследование зависимостей подвижности от времени синтеза показало их колоколообразный характер. Максимальная величина подвижности дырок равная 47 см2В-1.с- была получена для пленок Cu2O, синтезированных за время 30 мин. из порошков 100 меш. Удельное сопротивление пленок слабо зависело от времени синтеза и менялось в диапазоне от 100 до 260 Ом.см в зависимости от зернистости порошка источника. Предложено объяснение полученных результатов изменением фазового состава пленок оксидов меди.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Антощенко, В.С.
Мигунова, А.А.
Францев, Ю.В.
Лаврищев, О.А.
Немкаева, Р.Р.
Иминова, Н.А.
8.
Подробнее
22.3
Э 45
Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.
Э 45
Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.
9.
Подробнее
22.3
И 41
Ик-спектрометрические исследования стеклоперехода фреона CF3-CFH2 [Текст] / А. К. Шинбаева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 39-47. - (Серия физическая)
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
фреон -- стеклопереход -- ИК-спектр -- структурно-фазовые превращения -- пластический кристалл -- моноклинный кристалл -- сверхпереохлажденная жидкость -- вращательная подсистема -- ИК-спектрометрические исследования -- криоконденсированные пленки
Аннотация: Проведены ИК-спектрометрические исследования структурно-фазовых превращений в криоконденсированных пленках Фреона 134а. Исследования проведены в интервале температур 16-100 К. Обнаружено, что криопленки фреона 134а, образованные при Т=16К, при нагреве в интервале температур от 70 до 90 К испытывают многократные структурные трансформации различной природы. Делается вывод, что при температуре Тg=72 К имеет место переход стеклообразного состояния в сверхпереохлажденную жидкость (G-SCL). При температуре около Т=78 К начинается кристаллизация SCL в состояние ориентационно разупорядоченного пластического кристалла. При температуре Ttrans=80 К осуществляется второй квази-стеклопереход из состояния ориентационного стекла в пластический кристалл с упорядоченной вращательной подсистемой. В интервале температур 83-85 К реализуется фазовый переход пластический кристалл- моноклинный кристалл.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Шинбаева, А.К.
Алдияров, А.У.
Дробышев, А.С.
Нурмукан, А.Е.
И 41
Ик-спектрометрические исследования стеклоперехода фреона CF3-CFH2 [Текст] / А. К. Шинбаева [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 39-47. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
фреон -- стеклопереход -- ИК-спектр -- структурно-фазовые превращения -- пластический кристалл -- моноклинный кристалл -- сверхпереохлажденная жидкость -- вращательная подсистема -- ИК-спектрометрические исследования -- криоконденсированные пленки
Аннотация: Проведены ИК-спектрометрические исследования структурно-фазовых превращений в криоконденсированных пленках Фреона 134а. Исследования проведены в интервале температур 16-100 К. Обнаружено, что криопленки фреона 134а, образованные при Т=16К, при нагреве в интервале температур от 70 до 90 К испытывают многократные структурные трансформации различной природы. Делается вывод, что при температуре Тg=72 К имеет место переход стеклообразного состояния в сверхпереохлажденную жидкость (G-SCL). При температуре около Т=78 К начинается кристаллизация SCL в состояние ориентационно разупорядоченного пластического кристалла. При температуре Ttrans=80 К осуществляется второй квази-стеклопереход из состояния ориентационного стекла в пластический кристалл с упорядоченной вращательной подсистемой. В интервале температур 83-85 К реализуется фазовый переход пластический кристалл- моноклинный кристалл.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Шинбаева, А.К.
Алдияров, А.У.
Дробышев, А.С.
Нурмукан, А.Е.
10.
Подробнее
24.5
С 15
Садуова, А. О
Изучение мукоадгезивных свойств пленок на основе геллана, ПВС и их смеси [Текст] / А.О Садуова // ҚР ҰИУ.Хабаршы=НИУ РК.Вестник. - Алматы, 2018. - №3(69). - С. 52-58
ББК 24.5
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
геллан -- поливиниловый спирт -- пленки -- мукоадгезия
Аннотация: Получены пленки на основе геллана, поливинилового спирта и их смеси. Охарактеризованы их физико-механические свойства, а также изучена кинетика десорбции лекарственного вещества. Мукоадгезивные свойства, исследовались с помощью прибора "вращающаяся корзинка". Результаты анализов показали, что пленки на основе поливинилового спирта являются оптимальными для дальнейшей разработки лекарственной формы на их основе за счет высокой мукоадгезивной способности и кинетики высвобождения лекарственного вещества.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Ирмухаметова, Г.С
Казыбаева, Д.С
С 15
Садуова, А. О
Изучение мукоадгезивных свойств пленок на основе геллана, ПВС и их смеси [Текст] / А.О Садуова // ҚР ҰИУ.Хабаршы=НИУ РК.Вестник. - Алматы, 2018. - №3(69). - С. 52-58
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
геллан -- поливиниловый спирт -- пленки -- мукоадгезия
Аннотация: Получены пленки на основе геллана, поливинилового спирта и их смеси. Охарактеризованы их физико-механические свойства, а также изучена кинетика десорбции лекарственного вещества. Мукоадгезивные свойства, исследовались с помощью прибора "вращающаяся корзинка". Результаты анализов показали, что пленки на основе поливинилового спирта являются оптимальными для дальнейшей разработки лекарственной формы на их основе за счет высокой мукоадгезивной способности и кинетики высвобождения лекарственного вещества.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Ирмухаметова, Г.С
Казыбаева, Д.С
Страница 1, Результатов: 39