База данных: Статьи
Страница 1, Результатов: 1
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
24
C51
Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
ББК 24
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.
C51
Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
Рубрики: Химия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.
Страница 1, Результатов: 1