Электронный каталог


 

База данных: Статьи

Страница 1, Результатов: 1

Отмеченные записи: 0

22.3
Б 19

Бакранова, Д. И.
    Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 46-51. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- карбид кремния -- дилатационный диполь -- структура пленок -- эпитаксиальная пленка -- кристаллизация -- замещения атомов
Аннотация: В данной работе методами рентгеновской дифракции, электронографии, атомно-силовой микроскопии и рамановской микроскопии исследованы структура, фазовый состав и микроструктура поверхности пленки SіC, синтезированной методом замещения атомов в высокоомном с-Sі ориентации (111) в смеси газов СО и SіН4 (264 Па, 1250С,15мин).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С.А.
Нусупов, К.Х.
Осипов, А.В.
Бейсенханов, Н.Б.

Бакранова, Д.И. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60).- С.46-51

1.

Бакранова, Д.И. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60).- С.46-51


22.3
Б 19

Бакранова, Д. И.
    Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SіC, выращенных методом замещения атомов [Текст] / Д. И. Бакранова, С. А. Кукушкин [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 46-51. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- карбид кремния -- дилатационный диполь -- структура пленок -- эпитаксиальная пленка -- кристаллизация -- замещения атомов
Аннотация: В данной работе методами рентгеновской дифракции, электронографии, атомно-силовой микроскопии и рамановской микроскопии исследованы структура, фазовый состав и микроструктура поверхности пленки SіC, синтезированной методом замещения атомов в высокоомном с-Sі ориентации (111) в смеси газов СО и SіН4 (264 Па, 1250С,15мин).
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С.А.
Нусупов, К.Х.
Осипов, А.В.
Бейсенханов, Н.Б.

Страница 1, Результатов: 1

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц