Электронный каталог


 

База данных: Статьи

Страница 1, Результатов: 7

Отмеченные записи: 0



    От заката до рассвета / реж. Роберт Родригес ; исп.: К. Тарантино, Х. Кейтель, Дж. Клуни ; реж. Роберт Родригес, исп. К. Тарантино, исп. Х. Кейтель, исп. Дж. Клуни. - М. : Премьер-видеофильм, 2002. - 1 вк. - Фильм вышел на экраны в 1999 г. - Б. ц.

Доп.точки доступа:
Родригес, Роберт \реж.\
Тарантино, К. \исп.\
Кейтель, Х. \исп.\
Клуни, Дж. \исп.\
Paramount Films

Экземпляры всего: 1
СПР (1)
Свободны: СПР (1)

От заката до рассвета [Видеозапись] / реж. Роберт Родригес ; исп.: К. Тарантино, Х. Кейтель, Дж. Клуни, 2002. - 1 вк.

1.

От заката до рассвета [Видеозапись] / реж. Роберт Родригес ; исп.: К. Тарантино, Х. Кейтель, Дж. Клуни, 2002. - 1 вк.




    От заката до рассвета / реж. Роберт Родригес ; исп.: К. Тарантино, Х. Кейтель, Дж. Клуни ; реж. Роберт Родригес, исп. К. Тарантино, исп. Х. Кейтель, исп. Дж. Клуни. - М. : Премьер-видеофильм, 2002. - 1 вк. - Фильм вышел на экраны в 1999 г. - Б. ц.

Доп.точки доступа:
Родригес, Роберт \реж.\
Тарантино, К. \исп.\
Кейтель, Х. \исп.\
Клуни, Дж. \исп.\
Paramount Films

Экземпляры всего: 1
СПР (1)
Свободны: СПР (1)

24
С 87


    Structure and photoelectrochemical properties of electrodeposited Cu2ZnSn(S,Se)4 films [Текст] = Структура и фотоэлектрохимические свойства электроосажденных пленок Cu2ZnSn(S,Se)4 / K.A. Urazov [et al.] // Известия НАН РК. Серия химии и технологии. - 2019. - №2. - С. 12-20
ББК 24

Рубрики: Химические науки

Кл.слова (ненормированные):
Электроосаждение -- CZTSSe -- кестерит -- тонкая пленка -- фотоэлектрохимия -- химия
Аннотация: Разработан одностадийный электрохимический синтез пленок Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) и Cu2ZnSnS4 (CZTS) на стекле, покрытом Мо, из водных электролитов, содержащих одновременно ионы Cu+2, Zn+2, Sn+2,, Se+4 или S+4. Электроосаждение выполняли при постоянном потенциале с последующим отжигом при температуре 450о С в атмосфере воздуха в течение 60 минут. Пленки Cu2ZnSn(S0,96,Se0,04)4 были получены путем сульфуризации электроосажденных слоев Cu2ZnSnSe4 в атмосфере серы при 500о С в течение 60 минут. Структура и фазовый состав пленок подтвержден методом РФА и спектроскопии комбинационного рассеяния. Методом РЕС подтверждено, что все пленки имели р-проводимость. Установлено, что изменение химического состава пленок влияет на электрофизические свойства, и для слоев Cu2ZnSn(S,Se)4 фотоотклик оказался в 5-6 раз выше, чем для четрехкомпонентных соединений.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Urazov, K.A.
Dergacheva, M.B.
Gremenok, V.F.
Zaretskaya, E.P.

Structure and photoelectrochemical properties of electrodeposited Cu2ZnSn(S,Se)4 films [Текст] / K.A. Urazov [et al.] // Известия НАН РК. Серия химии и технологии. - 2019. - №2.- С.12-20

2.

Structure and photoelectrochemical properties of electrodeposited Cu2ZnSn(S,Se)4 films [Текст] / K.A. Urazov [et al.] // Известия НАН РК. Серия химии и технологии. - 2019. - №2.- С.12-20


24
С 87


    Structure and photoelectrochemical properties of electrodeposited Cu2ZnSn(S,Se)4 films [Текст] = Структура и фотоэлектрохимические свойства электроосажденных пленок Cu2ZnSn(S,Se)4 / K.A. Urazov [et al.] // Известия НАН РК. Серия химии и технологии. - 2019. - №2. - С. 12-20
ББК 24

Рубрики: Химические науки

Кл.слова (ненормированные):
Электроосаждение -- CZTSSe -- кестерит -- тонкая пленка -- фотоэлектрохимия -- химия
Аннотация: Разработан одностадийный электрохимический синтез пленок Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) и Cu2ZnSnS4 (CZTS) на стекле, покрытом Мо, из водных электролитов, содержащих одновременно ионы Cu+2, Zn+2, Sn+2,, Se+4 или S+4. Электроосаждение выполняли при постоянном потенциале с последующим отжигом при температуре 450о С в атмосфере воздуха в течение 60 минут. Пленки Cu2ZnSn(S0,96,Se0,04)4 были получены путем сульфуризации электроосажденных слоев Cu2ZnSnSe4 в атмосфере серы при 500о С в течение 60 минут. Структура и фазовый состав пленок подтвержден методом РФА и спектроскопии комбинационного рассеяния. Методом РЕС подтверждено, что все пленки имели р-проводимость. Установлено, что изменение химического состава пленок влияет на электрофизические свойства, и для слоев Cu2ZnSn(S,Se)4 фотоотклик оказался в 5-6 раз выше, чем для четрехкомпонентных соединений.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Urazov, K.A.
Dergacheva, M.B.
Gremenok, V.F.
Zaretskaya, E.P.

22.3
Л 38


    Doping of fluorine of tin dioxide films synthesized by sol-gel methodd [Текст] = Легирование фтором пленок диоксида олова синтезированных золь-гель методом / E.A. Dmitriyeva [et al.] // Известия НАН РК. Серия геологии и технических наук. - 2019. - №1. - С. 73-79
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
легирование фтором -- золь-гель технология -- оксид олова -- структура -- тонкие пленки -- чувствительность к этанолу -- физика
Аннотация: В статье рассмотрены оптические свойства, поверхностное сопротивление, адсорбционная чувствительность к парам этанола и структура нанопленок SnO2, синтезированных золь-гель методом. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, имеют на 4-5% более высокую прозрачность, чем пленки, полученные из золя без добавок. Обнаружено увеличение адгезии пленок, синтезированных с добавлением NH4F, к поверхности стеклянной подложки. Показано наличие ионов F- в матрице SnO2 в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Пленки, полученные как из золя, так и с добавлением фторида аммония демонстрируют характерную для SnO2 нелинейную зависимость сопротивления от температуры. Пленка, полученная из золя, состоит из глобул, отдельно стоящих или сгруппированных. Добавление фторида аммония к золю привело к образованию дендритной структуры пленок. Пленки, полученные как из золя без добавок, так и с добавлением NH4F, могут быть использованы в качестве чувствительного элемента в газоанализаторах, для определения малых концентраций паров этанола. Получен важный технический результат – уменьшение времени отклика до 2 секунд к парам этанола как для пленок с добавлением NH4F, так и без добавок. Однако, для определения концентраций от 0,1 до 0,6 мг/л более предпочтительны пленки, синтезированные из золя с добавлением NH4F.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Dmitriyeva, E.A.
Mukhamedshina, D.M.
Mit, K.A.
Lebedev, I.А.
Girina, I.I.
Fedosimova, A.I.
Grushevskaja, E.A.

Doping of fluorine of tin dioxide films synthesized by sol-gel methodd [Текст] / E.A. Dmitriyeva [et al.] // Известия НАН РК. Серия геологии и технических наук. - 2019. - №1.- С.73-79

3.

Doping of fluorine of tin dioxide films synthesized by sol-gel methodd [Текст] / E.A. Dmitriyeva [et al.] // Известия НАН РК. Серия геологии и технических наук. - 2019. - №1.- С.73-79


22.3
Л 38


    Doping of fluorine of tin dioxide films synthesized by sol-gel methodd [Текст] = Легирование фтором пленок диоксида олова синтезированных золь-гель методом / E.A. Dmitriyeva [et al.] // Известия НАН РК. Серия геологии и технических наук. - 2019. - №1. - С. 73-79
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
легирование фтором -- золь-гель технология -- оксид олова -- структура -- тонкие пленки -- чувствительность к этанолу -- физика
Аннотация: В статье рассмотрены оптические свойства, поверхностное сопротивление, адсорбционная чувствительность к парам этанола и структура нанопленок SnO2, синтезированных золь-гель методом. Пленки, полученные из золя с добавлением NH4F, имеют на 4-5% более высокую прозрачность, чем пленки, полученные из золя без добавок. Обнаружено увеличение адгезии пленок, синтезированных с добавлением NH4F, к поверхности стеклянной подложки. Показано наличие ионов F- в матрице SnO2 в качестве дополнительных источников свободных носителей заряда. Пленки, полученные как из золя, так и с добавлением фторида аммония демонстрируют характерную для SnO2 нелинейную зависимость сопротивления от температуры. Пленка, полученная из золя, состоит из глобул, отдельно стоящих или сгруппированных. Добавление фторида аммония к золю привело к образованию дендритной структуры пленок. Пленки, полученные как из золя без добавок, так и с добавлением NH4F, могут быть использованы в качестве чувствительного элемента в газоанализаторах, для определения малых концентраций паров этанола. Получен важный технический результат – уменьшение времени отклика до 2 секунд к парам этанола как для пленок с добавлением NH4F, так и без добавок. Однако, для определения концентраций от 0,1 до 0,6 мг/л более предпочтительны пленки, синтезированные из золя с добавлением NH4F.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Dmitriyeva, E.A.
Mukhamedshina, D.M.
Mit, K.A.
Lebedev, I.А.
Girina, I.I.
Fedosimova, A.I.
Grushevskaja, E.A.

24
U73

Urazov, K. A.
    Invesnigation of the surface morphology of polyanaline thin films [Текст] / K. A. Urazov, M. B. Dergacheva , V. F. Gremenok // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - №3. - С. 6-12. - (Серия Химии и технологии)
ББК 24

Рубрики: Химические наука

Кл.слова (ненормированные):
Полианилин -- электроосаждение -- тонкая пленка -- морфология поверхности -- спектр пропускания
Аннотация: В работе показан электрохимический способ получения тонких пленокполианилина(ПАНИ) с толщиной 20 и 60 нм на FTO/стекло подложках. Структура и морфология поверхности полученных пленок ПАНИ исследовали с помощью методов РФА, СЭМ, АСМ. Установлено незначительное изменение структуры стеклянной подложки при нанесении полианалина. На тонких покрытиях выделены частицы с различными диаметрами, максимальный из которых составляет 250 нм. Покрытия толщиной 60 нм представляют собой плотную однородную поверхность. Ее шероховатость и положение отдельных зерен, а также профиль поверхности определены методом атомной силовой микроскопии. Оптические свойства покрытий определены методом УФ-спектроскопии. На основании выполненных исследований сделан вывод, что поглощающая способность стекла, покрытого полианилином увеличивается больше в красной области длин волн. Ширина запрещенной зоны системы ПАНИ/FTO/стекло составляет 3,85 эВ
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Dergacheva , M.B.
Gremenok, V.F.

Urazov, K.A. Invesnigation of the surface morphology of polyanaline thin films [Текст] / K. A. Urazov, M. B. Dergacheva , V. F. Gremenok // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - №3.- С.6-12

4.

Urazov, K.A. Invesnigation of the surface morphology of polyanaline thin films [Текст] / K. A. Urazov, M. B. Dergacheva , V. F. Gremenok // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - №3.- С.6-12


24
U73

Urazov, K. A.
    Invesnigation of the surface morphology of polyanaline thin films [Текст] / K. A. Urazov, M. B. Dergacheva , V. F. Gremenok // Известия национальной академии наук Республики Казахстан. - 2018. - №3. - С. 6-12. - (Серия Химии и технологии)
ББК 24

Рубрики: Химические наука

Кл.слова (ненормированные):
Полианилин -- электроосаждение -- тонкая пленка -- морфология поверхности -- спектр пропускания
Аннотация: В работе показан электрохимический способ получения тонких пленокполианилина(ПАНИ) с толщиной 20 и 60 нм на FTO/стекло подложках. Структура и морфология поверхности полученных пленок ПАНИ исследовали с помощью методов РФА, СЭМ, АСМ. Установлено незначительное изменение структуры стеклянной подложки при нанесении полианалина. На тонких покрытиях выделены частицы с различными диаметрами, максимальный из которых составляет 250 нм. Покрытия толщиной 60 нм представляют собой плотную однородную поверхность. Ее шероховатость и положение отдельных зерен, а также профиль поверхности определены методом атомной силовой микроскопии. Оптические свойства покрытий определены методом УФ-спектроскопии. На основании выполненных исследований сделан вывод, что поглощающая способность стекла, покрытого полианилином увеличивается больше в красной области длин волн. Ширина запрещенной зоны системы ПАНИ/FTO/стекло составляет 3,85 эВ
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Dergacheva , M.B.
Gremenok, V.F.

85
A12

Aryubi, M.
    Discussing the process of Scriptwriting Formation in Afghanistan's Cinema [Текст] / M. Aryubi // Ізденіс. - 2021. - №4. - P. 170-179
ББК 85

Рубрики: Art

Кл.слова (ненормированные):
afghanistan's cinema -- script -- stereotype and play -- afghan film -- continuity of structures and duplicate content -- emergence of professional and scriptwriters
Аннотация: The reason for this transformation and qualitative growth is due to the professional and professional view of cinema and scriptwriting.
Держатели документа:
WKU

Aryubi, M. Discussing the process of Scriptwriting Formation in Afghanistan's Cinema [Текст] / M. Aryubi // Ізденіс. - 2021. - №4.- P.170-179

5.

Aryubi, M. Discussing the process of Scriptwriting Formation in Afghanistan's Cinema [Текст] / M. Aryubi // Ізденіс. - 2021. - №4.- P.170-179


85
A12

Aryubi, M.
    Discussing the process of Scriptwriting Formation in Afghanistan's Cinema [Текст] / M. Aryubi // Ізденіс. - 2021. - №4. - P. 170-179
ББК 85

Рубрики: Art

Кл.слова (ненормированные):
afghanistan's cinema -- script -- stereotype and play -- afghan film -- continuity of structures and duplicate content -- emergence of professional and scriptwriters
Аннотация: The reason for this transformation and qualitative growth is due to the professional and professional view of cinema and scriptwriting.
Держатели документа:
WKU

24
C51


    Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
ББК 24

Рубрики: Химия

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.

Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5.- Р.100-108

6.

Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5.- Р.100-108


24
C51


    Chemical deposition of bismuth iodide sulfide semiconductor thin films [Текст] / D. Puzikova, M. B. Dergacheva, G. M. Khusurova [и др.] // Доклады национальной академии наук Республики Казахстан. - 2021. - №5. - Р. 100-108
ББК 24

Рубрики: Химия

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрохимические ячейки -- тонкие пленки -- тиоиодид висмута -- сульфид иодид висмута -- преобразование солнечной энергии
Аннотация: Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.
Держатели документа:
ЗКУ
Доп.точки доступа:
Puzikova, D.
Dergacheva, M. B.
Khusurova, G. M.
Leontyeva, X. A.
Panchenko, P. V.

85.37
Ш 61

Шимырбаева, Г.
    Казахстан - центр кинобизнеса стран СНГ [Текст] / Г. Шимырбаева // Казахстанская правда. - 2023. - 6 октября. - №191. - С. 13.
ББК 85.37

Рубрики: Киноискусство

Кл.слова (ненормированные):
Киноискусство -- кинобизнес -- международный кинорынок -- Eurasian Film Market -- Кинорынок -- кинофестивали -- продюсерские и продакшн-центры -- лаборатории услуг пост-продакшна -- кинокомиссии -- кинотеатры -- стриминговые платформы
Аннотация: Наша страна становится дипломатической площадкой для кинобизнеса: международный кинорынок Eurasian Film Market, который будет проходить в Алматы ежегодно, планирует собирать представителей индустрии не только стран СНГ, но и дальнего зарубежья.
Держатели документа:
ЗКУ

Шимырбаева, Г. Казахстан - центр кинобизнеса стран СНГ [Текст] / Г. Шимырбаева // Казахстанская правда. - 2023. - 6 октября. - №191.- С.13.

7.

Шимырбаева, Г. Казахстан - центр кинобизнеса стран СНГ [Текст] / Г. Шимырбаева // Казахстанская правда. - 2023. - 6 октября. - №191.- С.13.


85.37
Ш 61

Шимырбаева, Г.
    Казахстан - центр кинобизнеса стран СНГ [Текст] / Г. Шимырбаева // Казахстанская правда. - 2023. - 6 октября. - №191. - С. 13.
ББК 85.37

Рубрики: Киноискусство

Кл.слова (ненормированные):
Киноискусство -- кинобизнес -- международный кинорынок -- Eurasian Film Market -- Кинорынок -- кинофестивали -- продюсерские и продакшн-центры -- лаборатории услуг пост-продакшна -- кинокомиссии -- кинотеатры -- стриминговые платформы
Аннотация: Наша страна становится дипломатической площадкой для кинобизнеса: международный кинорынок Eurasian Film Market, который будет проходить в Алматы ежегодно, планирует собирать представителей индустрии не только стран СНГ, но и дальнего зарубежья.
Держатели документа:
ЗКУ

Страница 1, Результатов: 7

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц