QR-код документа
А 37
Аймаганбетов, К. П.
Исследование параметров глубоких уровней кремниевого диода методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней [Текст] / К. П. Аймаганбетов // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №3. - С. 100-105
Рубрики: Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
релаксационная спектроскопия -- глубокий уровень -- сечение захвата
Аннотация: Дефекты, содержащиеся в полупроводниковых материалах, оказывают значительное влияние на их электрофизические параметры (проводимость, время жизни переносчиков заряда). В случае, если энергетические уровни дефектов расположены в запрещённой зоне указанных материалов, на значительном расстоянии от краев валентной зоны и зоны проводимости, они также известны под названием «глубокие уровни». Дефекты в структуре запрещённой зоны полупроводника могут быть как собственными, так и образовываться под влиянием внешних технологических факторов. Параметрами, которыми можно охарактеризовать глубокие уровни, являются энергия ионизации, концентрация и сечение захвата. Указанные параметры могут достаточно полно исследоваться методом емкостной релаксационной спектроскопии глубоких уровней (на английском: «deep level transient spectroscopy» DLTS). Преимуществом данной методики является ее высокая чувствительность, что даёт возможность подробно исследовать структуру запрещенной зоны в полупроводниковых материалах. В настоящей работе описана методика применения релаксационной спектроскопии глубоких уровней к исследованию кремниевого диода КД208А с целью идентификации и изучения характеристик глубоких уровней в данном элементе.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Токмолдин , Н.С.
Похожие издания по классификации