Разработка кремниевых стриповых детекторов с ортогональным полем/Саймбетов, А.К.

Разработка кремниевых стриповых детекторов с ортогональным полем/Саймбетов, А.К.

http://elib.wku.edu.kz/lib/document/STAT2/F47DB201-1780-4479-BC27-4C495EB4100C/

22.3
С 14
Саймбетов, А. К.
    Разработка кремниевых стриповых детекторов с ортогональным полем [Текст] / А. К. Саймбетов // Вестник КАЗНУ. - 2017. - №2. - С. 33-36 ; Серия физическая
ББК 22.3

Рубрики: Физика

Кл.слова (ненормированные):
p-i-n структура -- детектор -- Si(Li) стрип детектор
Аннотация: Разработка полупроводниковых полосковых детекторов с ортогональным полем с высокой энергией и положением, линейность сигнала в широком диапазоне энергий для различных типов частиц тесно связана с технологией изготовления модулей обнаружения и полупроводниковых свойств исходного кристалла. В работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) стриповых детекторов с ортогональном полем с большой чувствительной областью. Электрофизические и радиометрические параметры изготовленной детекторов при рабочем напряжении U=(50-600)В находятся в пределах значения темнового тока I ~ (0,1÷0,5) мкА, емкость С = (20÷200)пФ, шумы E = (12÷35) кэВ. Энергетические разрешения Rβ = 18кэВ по ЭВК 207Bi (Eβ = 1МэВ) и Rα = 46 кэВ по 238Pu (Eα ≈ 5,5MэВ), соответственно. Исследовано влияние неоднородностей на характеристики стриповых детекторов, а также их роль в явлениях переноса носителей заряда в условиях ортогонального поля.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Иманбаева, А.К.
Тошмуродов, Е.К.
Мухаметкали, Б.К.
Джапашов, Н.М.
Аязбай , Ж.Г.

QR-код документа