База данных: Статьи
Страница 1, Результатов: 24
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
72
А 13
Абдуллин, Х. А.
Нанотехнологии в области материаловедения и получения новых материалов [Текст] / Х.Абдуллин // Доклады Национальной Академии наук Республики Казахстан. - 2013. - №5. - с. 14-21
ББК 72
Рубрики: наука
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- фотоника -- плазмоника -- нанотехнология -- материаловедение
Аннотация: Проведен обзор исследований последних лет по развитию технологий в области материаловедения получения новых материалов.Акцент сделан на технологии создания углеродных наноматериалов -углеродные нанотрубки (УНТ) и графен,и на технологии создания оксидных наноструктурированных полупроводников,имеющих большие перспективы длы применения в солнечной энергетике,сенсорике,катализе.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Мукашев, Б.Н.
А 13
Абдуллин, Х. А.
Нанотехнологии в области материаловедения и получения новых материалов [Текст] / Х.Абдуллин // Доклады Национальной Академии наук Республики Казахстан. - 2013. - №5. - с. 14-21
Рубрики: наука
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- фотоника -- плазмоника -- нанотехнология -- материаловедение
Аннотация: Проведен обзор исследований последних лет по развитию технологий в области материаловедения получения новых материалов.Акцент сделан на технологии создания углеродных наноматериалов -углеродные нанотрубки (УНТ) и графен,и на технологии создания оксидных наноструктурированных полупроводников,имеющих большие перспективы длы применения в солнечной энергетике,сенсорике,катализе.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Мукашев, Б.Н.
2.
Подробнее
74.262.22
Л 63
Лисаченко, Д. А.
Изучение зонной структуры полупроводников в непрерывном спектре теплового излучения [Текст] / Д. А. Лисаченко, М. Н. Букина // Физика в школе. - 2020. - №1. - С. 48-53
ББК 74.262.22
Рубрики: Методика преподавания физики
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлемент -- запрещенная зона -- тепловое излучение -- сплошной спектр -- лабораторная работа -- физика -- полупроводники -- блок питания -- микроамперметр -- фототок -- монохроматор
Аннотация: Свойства полупроводникового фотоэлемента можно исследовать, используя не монохроматическое излучение, а широкий спектр теплового излучения лампы накаливания. Регулируя ток накала, можно снять зависимость фототока от изменения спектра лампы при нагреве и после несложной математической обработки выявить пороговый характер фотоэффекта и оценить ширину запрещенной зоны. Работа выполняется на самом простом оборудовании и доступна школам с любым уровнем материального обеспечения
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Букина, М.Н.
Л 63
Лисаченко, Д. А.
Изучение зонной структуры полупроводников в непрерывном спектре теплового излучения [Текст] / Д. А. Лисаченко, М. Н. Букина // Физика в школе. - 2020. - №1. - С. 48-53
Рубрики: Методика преподавания физики
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлемент -- запрещенная зона -- тепловое излучение -- сплошной спектр -- лабораторная работа -- физика -- полупроводники -- блок питания -- микроамперметр -- фототок -- монохроматор
Аннотация: Свойства полупроводникового фотоэлемента можно исследовать, используя не монохроматическое излучение, а широкий спектр теплового излучения лампы накаливания. Регулируя ток накала, можно снять зависимость фототока от изменения спектра лампы при нагреве и после несложной математической обработки выявить пороговый характер фотоэффекта и оценить ширину запрещенной зоны. Работа выполняется на самом простом оборудовании и доступна школам с любым уровнем материального обеспечения
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Букина, М.Н.
3.
Подробнее
22.3
А 36
Аймаганбетов, К. П.
Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в условиях лабораторного эксперимента для студентов вузов [Текст] / К. П. Аймаганбетов, К. С. Жолдыбаев [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 148-156. - (Физика сериясы = Серия физическая )
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
нестационарная спектроскопия -- глубокие уровни -- примесь -- релаксация -- захват -- эмиссия -- физика
Аннотация: В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) применительно к лабораторному эксперименту студентов, проходящих обучение по специализации в области полупроводниковых материалов и приборов в высших учебных заведениях.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Жолдыбаев, К.С.
Жантуаров, С.Р.
Рахимбаев, Б.С.
Токмолдин, Н.С.
А 36
Аймаганбетов, К. П.
Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в условиях лабораторного эксперимента для студентов вузов [Текст] / К. П. Аймаганбетов, К. С. Жолдыбаев [и др.] // әл-Фараби ат. ҚазҰУ хабаршысы = Вестник КазНУ им. аль-Фараби. - Алматы, 2017. - №1(60). - С. 148-156. - (Физика сериясы = Серия физическая )
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
нестационарная спектроскопия -- глубокие уровни -- примесь -- релаксация -- захват -- эмиссия -- физика
Аннотация: В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) применительно к лабораторному эксперименту студентов, проходящих обучение по специализации в области полупроводниковых материалов и приборов в высших учебных заведениях.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Жолдыбаев, К.С.
Жантуаров, С.Р.
Рахимбаев, Б.С.
Токмолдин, Н.С.
4.
Подробнее
22.379
T95
Turekhanova, K. M.
Collision frequency and free length path of electrons of semiclassical dense plasma [Текст] / K. M. Turekhanova, D. S. Kaliyeva // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 39-44. - (Серия физическая=Series of physical)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
плотная плазма -- квазиклассическая плазма -- столкновительные процессы -- частота столкновений электронов -- длина свободного пробега электронов -- квантово-механические эффекты дифракции -- длина свободного пробега электронов -- параметры неидеальности
Аннотация: В настоящее время исследование столкновительных процессов плотной квазиклассической плазмы, реализующиеся во многих устройствах, представляет значительный интерес. В работе исследованы столкновительные процессы плотной квазиклассической плазмы с учетом квантово-механических эффектов дифракции и симметрии нa мaлыx paccтoяниях и эффeкты экрaнирoвки пoля зapядoв нa бoльших paccтoянияx. Столкновительные характеристики плотной квазиклассической плазмы получены численно, например, определены зависимости частоты столкновений электронов от параметра неидеальности и длины свободного пробега электронов от параметра неидеальности и плотности плазмы. Показано, что учет эффекта экранировки и квантово-механических эффектов дифракции и симметрии в плотной квазиклассической плазме при определенных значениях параметра неидеальности приводит к появлению максимума на кривой частоты столкновений электронов. А длина свободного пробега электронов имеет минимум в некоторых значениях параметра неидеальности.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kaliyeva, D.S.
T95
Turekhanova, K. M.
Collision frequency and free length path of electrons of semiclassical dense plasma [Текст] / K. M. Turekhanova, D. S. Kaliyeva // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 39-44. - (Серия физическая=Series of physical)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
плотная плазма -- квазиклассическая плазма -- столкновительные процессы -- частота столкновений электронов -- длина свободного пробега электронов -- квантово-механические эффекты дифракции -- длина свободного пробега электронов -- параметры неидеальности
Аннотация: В настоящее время исследование столкновительных процессов плотной квазиклассической плазмы, реализующиеся во многих устройствах, представляет значительный интерес. В работе исследованы столкновительные процессы плотной квазиклассической плазмы с учетом квантово-механических эффектов дифракции и симметрии нa мaлыx paccтoяниях и эффeкты экрaнирoвки пoля зapядoв нa бoльших paccтoянияx. Столкновительные характеристики плотной квазиклассической плазмы получены численно, например, определены зависимости частоты столкновений электронов от параметра неидеальности и длины свободного пробега электронов от параметра неидеальности и плотности плазмы. Показано, что учет эффекта экранировки и квантово-механических эффектов дифракции и симметрии в плотной квазиклассической плазме при определенных значениях параметра неидеальности приводит к появлению максимума на кривой частоты столкновений электронов. А длина свободного пробега электронов имеет минимум в некоторых значениях параметра неидеальности.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kaliyeva, D.S.
5.
Подробнее
22.379
Н 76
Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.
Н 76
Новые полупроводниковые низкоразмерные гетероструктуры: формирование, кристаллическое строение и энергетический спектр [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 46-54. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- квантовые ямы -- энергетическое строение первого рода -- непрямая запрещённая зона -- экситон -- спиновая релаксация -- длительное время жизни -- Кристаллическое строение -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: В работе обсуждаются полупроводниковые низкоразмерные A3-B5 гетероструктуры с энергетическим спектром нового типа – первого рода с непрямой запрещённой зоной. Разделение носителей заряда в пространстве квазиимпульсов в таких структурах ведёт к увеличению времени жизни локализованных экситонов вплоть до сотен микросекунд. Это делает возможным исследование процессов, изучение которых в прямозонных системах с малым временем жизни (~ 1 нс) затруднено, например спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (КТ). Гетероструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическое строение гетероструктур исследовано с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии. Энергетическое строение структур изучено при помощи спектроскопии стационарной и время разрешённой фотолюминесценции. Экспериментальные данные дополнены расчётами. В результате было показано, энергетический спектр первого рода и непрямой запрещённой зоной реализуется в структурах с GaAs/GaP и GaSb/GaP КТ, механические напряжений в которых полностью релаксировали, а также с псевдоморфно напряжёнными III-Sb/AlAs квантовыми ямами.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д.С.
Бакаров, А.К.
Петрушков, М.О.
Емельянов, Е.А.
Путято, М.А.
Преображенский, В.В.
Семягин, Б.Р.
Есин, М.Ю.
Кожухов, А.С.
Гутаковский, А.К.
Шамирзаев, Т.С.
6.
Подробнее
22.379
К 92
Купчишин, А. И.
Влияние температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию линейных полимерных пленок [Текст] / А. И. Купчишин, М. Н. Ниязов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 55-61. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
температура -- деформация -- прочность -- линейные полимеры -- статическая нагрузка -- облучение -- поглощенная доза -- математическая модель
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования по влиянию температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию политетрафторэтилена. До 35 °С воздействие нагрузки и температуры приводит к резкому удлинению образцов, что вызвано выпрямлением закрученных комплексов макромолекул и жестко связанных цепей. Катастрофическое разрушение слабых цепей, в том числе связанных с наличием фазовых переходов, происходит при росте температуры до 45 °С. Кривая ε(t) имеет тенденцию постепенного выхода на насыщение при t > 40 °С, что связано с разрывом жестких, более прочных цепей. Максимальная деформация 500 % достигается при t = 85 °С и σ = 13 МПа. Исследованы зависимости возвратной деформации от времени при различных значениях статической нагрузке и комнатной температуре. С ростом дозы облучения возвратная деформация уменьшается, а предел прочности полимера принимает значение равное 6 – 9 МПа. Электронное воздействие на политет-рафторэтилен приводит к уменьшению пластичности и к существенному уменьшению возвратной деформации, что связано с деструкцией полимера. Удовлетворительное согласие экспериментальных данных с расчетом показывают кривые, описывающиеся в рамках экспоненциальной модели.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Ниязов, М.Н.
Таипова, Б.Г.
Ходарина, Н.Н.
Шаханов, К.Ш.
Тронин, Б.А.
К 92
Купчишин, А. И.
Влияние температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию линейных полимерных пленок [Текст] / А. И. Купчишин, М. Н. Ниязов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 55-61. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
температура -- деформация -- прочность -- линейные полимеры -- статическая нагрузка -- облучение -- поглощенная доза -- математическая модель
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования по влиянию температуры, статической нагрузки и электронного облучения на деформацию политетрафторэтилена. До 35 °С воздействие нагрузки и температуры приводит к резкому удлинению образцов, что вызвано выпрямлением закрученных комплексов макромолекул и жестко связанных цепей. Катастрофическое разрушение слабых цепей, в том числе связанных с наличием фазовых переходов, происходит при росте температуры до 45 °С. Кривая ε(t) имеет тенденцию постепенного выхода на насыщение при t > 40 °С, что связано с разрывом жестких, более прочных цепей. Максимальная деформация 500 % достигается при t = 85 °С и σ = 13 МПа. Исследованы зависимости возвратной деформации от времени при различных значениях статической нагрузке и комнатной температуре. С ростом дозы облучения возвратная деформация уменьшается, а предел прочности полимера принимает значение равное 6 – 9 МПа. Электронное воздействие на политет-рафторэтилен приводит к уменьшению пластичности и к существенному уменьшению возвратной деформации, что связано с деструкцией полимера. Удовлетворительное согласие экспериментальных данных с расчетом показывают кривые, описывающиеся в рамках экспоненциальной модели.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Ниязов, М.Н.
Таипова, Б.Г.
Ходарина, Н.Н.
Шаханов, К.Ш.
Тронин, Б.А.
7.
Подробнее
22.379
K34
Kenzhina, I. E.
Synthesis of Cu/CuO nanostructures [Текст] / I. E. Kenzhina, A. L. Kozlovskiy, A. V. Petrov, K. K. Kadyrzhanov // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 62-68. - ( Серия физическая=Series of physical)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- нанотрубки -- матричный синтез -- электропроводящие свойства -- кристаллическая структура -- Электрохимический синтез -- микроэлектроника -- проводящие свойства
Аннотация: Среди разнообразия синтезированных наноструктур особое место занимают нанотрубки Cu из-за их физико-химических и электрических свойств, а также из-за потенциальных применений в микроэлектронике. В настоящей работе представлены результаты исследований синтеза медных наноструктур в виде полых нанотрубок, полученных электрохимическим осаждением в порах темплатных матриц на основе полимерных пленок из полиэтилентерефталата. Электрохимический синтез в треки темплатов проводился в потенциостатическом режиме при напряжении от 0,5 до 1,5 В. Контролируя время осаждения, разницу приложенных потенциалов, температуру электролита, мы можем изменить геометрические параметры синтезированных наноструктур. Морфология, кристаллическая структура, элементный и фазовый состав наноструктур были изучены с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного и рентгенофазового анализа. Установлены зависимости изменения структурных и проводящих свойств синтезированных наноструктур от условий синтеза. Определены оптимальные условия для синтеза Cu/CuO наноструктур различной геометрии (нанопроволоки и нанотрубки), которые имеют потенциальные применения в микроэлектронике.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kozlovskiy, A.L.
Petrov, A.V.
Kadyrzhanov, K.K.
K34
Kenzhina, I. E.
Synthesis of Cu/CuO nanostructures [Текст] / I. E. Kenzhina, A. L. Kozlovskiy, A. V. Petrov, K. K. Kadyrzhanov // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби=Journal оf Al-Farabi Kazakh national university. - Almaty, 2018. - №3(66). - Р. 62-68. - ( Серия физическая=Series of physical)
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- нанотрубки -- матричный синтез -- электропроводящие свойства -- кристаллическая структура -- Электрохимический синтез -- микроэлектроника -- проводящие свойства
Аннотация: Среди разнообразия синтезированных наноструктур особое место занимают нанотрубки Cu из-за их физико-химических и электрических свойств, а также из-за потенциальных применений в микроэлектронике. В настоящей работе представлены результаты исследований синтеза медных наноструктур в виде полых нанотрубок, полученных электрохимическим осаждением в порах темплатных матриц на основе полимерных пленок из полиэтилентерефталата. Электрохимический синтез в треки темплатов проводился в потенциостатическом режиме при напряжении от 0,5 до 1,5 В. Контролируя время осаждения, разницу приложенных потенциалов, температуру электролита, мы можем изменить геометрические параметры синтезированных наноструктур. Морфология, кристаллическая структура, элементный и фазовый состав наноструктур были изучены с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного и рентгенофазового анализа. Установлены зависимости изменения структурных и проводящих свойств синтезированных наноструктур от условий синтеза. Определены оптимальные условия для синтеза Cu/CuO наноструктур различной геометрии (нанопроволоки и нанотрубки), которые имеют потенциальные применения в микроэлектронике.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Kozlovskiy, A.L.
Petrov, A.V.
Kadyrzhanov, K.K.
8.
Подробнее
22.379
А 95
Аханова, Н. Е.
Разработка системы измерения в нанодиапазоне [Текст] / Н. Е. Аханова, С. А. Дарзнек [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 69-75. - (Серия физическая)
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
лазер -- линейное перемещение -- нанодиапазон -- интерферометр -- угол фазового сдвига (УФС) -- нанометрии -- Оптическая интерферометрия -- радиодиапазон -- гелий-неоновый лазер -- фотоприёмное устройство -- электронно-фазометрическая система -- блок высокочастотных генераторов -- интерфейс связи -- персональный компьютер -- программное обеспечение -- Оптический пучок -- интерферометр-фазометр -- лазерный цифровой фазометр
Аннотация: Работа посвящена измерению линейных смещений в нанодиапазоне, анализу особенностей такого рода работ, обеспечению единства измерений и стабильности измеряемой физической величины, достоверности результатов и их привязки к Госэталонам. Рассмотрены критерии, которым должны соответствовать методы и средства прецизионных измерений в нанодиапазоне, а также методы и средства съема и представления обработки получаемой информации. Сделан анализ основных источников погрешностей. Результаты этих исследований представлены в работе [1]. Рассмотрены особенности построения измерительных комплексов, а также вопросы калибровки фазовых измерений в оптике.Рассмотрены вопросы прикладного характера: измерение реальных перемещений объектов в нанодиапазоне, определения их скорости и ускорения, а также вопросы внедрения разработанных методов в область практического применения. Приведены результаты, полученные при решении экспериментальных и прикладных задач с использованием метода и средств численного гетеродинирования. Разработанная измерительная система «интерферометр-фазометр», позволяет исследовать, в реальном масштабе времени, сложные пъезокерамические структуры используемых в различных устройствах в качестве актюаторов.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дарзнек, С.А.
Желкобаев, Ж.Е.
Габдуллин, М.Т.
Ерланулы, Е.
Батрышев, Д.Г.
А 95
Аханова, Н. Е.
Разработка системы измерения в нанодиапазоне [Текст] / Н. Е. Аханова, С. А. Дарзнек [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №3(66). - С. 69-75. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
лазер -- линейное перемещение -- нанодиапазон -- интерферометр -- угол фазового сдвига (УФС) -- нанометрии -- Оптическая интерферометрия -- радиодиапазон -- гелий-неоновый лазер -- фотоприёмное устройство -- электронно-фазометрическая система -- блок высокочастотных генераторов -- интерфейс связи -- персональный компьютер -- программное обеспечение -- Оптический пучок -- интерферометр-фазометр -- лазерный цифровой фазометр
Аннотация: Работа посвящена измерению линейных смещений в нанодиапазоне, анализу особенностей такого рода работ, обеспечению единства измерений и стабильности измеряемой физической величины, достоверности результатов и их привязки к Госэталонам. Рассмотрены критерии, которым должны соответствовать методы и средства прецизионных измерений в нанодиапазоне, а также методы и средства съема и представления обработки получаемой информации. Сделан анализ основных источников погрешностей. Результаты этих исследований представлены в работе [1]. Рассмотрены особенности построения измерительных комплексов, а также вопросы калибровки фазовых измерений в оптике.Рассмотрены вопросы прикладного характера: измерение реальных перемещений объектов в нанодиапазоне, определения их скорости и ускорения, а также вопросы внедрения разработанных методов в область практического применения. Приведены результаты, полученные при решении экспериментальных и прикладных задач с использованием метода и средств численного гетеродинирования. Разработанная измерительная система «интерферометр-фазометр», позволяет исследовать, в реальном масштабе времени, сложные пъезокерамические структуры используемых в различных устройствах в качестве актюаторов.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Дарзнек, С.А.
Желкобаев, Ж.Е.
Габдуллин, М.Т.
Ерланулы, Е.
Батрышев, Д.Г.
9.
Подробнее
32
В 58
Влияние технологических параметров получения углеродных пленочных наноструктур [Текст] / И. А. Цыганов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 25-31. - ( Серия физическая)
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
углеродные пленочные наноструктуры -- наноалмазы -- магнетронное распыление -- рамановская спектроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- технологические параметры -- полупроводниковые подложки -- смесь газов -- температурные закономерности -- наноматериалы
Аннотация: Рассмотрено влияние технологических параметров пленочных углеродных наноструктур, полученных на металлических и полупроводниковых подложках методом магнетронного ионноплазменного распыления. Приведены результаты по влиянию смеси газов Ar+H2 и Ar+CH4 на структуру пленок, которые были исследованы с использованием сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния. По данным спектров КР, представленным в статье, описаны особенности структур, полученных образцов, которые сильно отличаются в зависимости от использованной смеси газов. Из результатов микрофотографий СЭМ оценено распределение и средние размеры обнаруженных наноразмерных углеродных фрагментов. Проанализированные данные отражают свойства углеродных пленочных наноструктур в зависимости от технологических параметров и условий подготовки мишеней. Выявлены температурные закономерности и зависимость используемой смеси рабочего газа.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Цыганов, И.А.
Гусейнов, Н.Р.
Кожантаева, А.С.
Узакбаева, Н.Н.
Шадиярбекова, А.Н.
Ерболаев, А.А.
Исаев, А.С.
Жумагулов, М.М.
Толеуханова, А.К.
В 58
Влияние технологических параметров получения углеродных пленочных наноструктур [Текст] / И. А. Цыганов [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 25-31. - ( Серия физическая)
Рубрики: Радиоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
углеродные пленочные наноструктуры -- наноалмазы -- магнетронное распыление -- рамановская спектроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- технологические параметры -- полупроводниковые подложки -- смесь газов -- температурные закономерности -- наноматериалы
Аннотация: Рассмотрено влияние технологических параметров пленочных углеродных наноструктур, полученных на металлических и полупроводниковых подложках методом магнетронного ионноплазменного распыления. Приведены результаты по влиянию смеси газов Ar+H2 и Ar+CH4 на структуру пленок, которые были исследованы с использованием сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния. По данным спектров КР, представленным в статье, описаны особенности структур, полученных образцов, которые сильно отличаются в зависимости от использованной смеси газов. Из результатов микрофотографий СЭМ оценено распределение и средние размеры обнаруженных наноразмерных углеродных фрагментов. Проанализированные данные отражают свойства углеродных пленочных наноструктур в зависимости от технологических параметров и условий подготовки мишеней. Выявлены температурные закономерности и зависимость используемой смеси рабочего газа.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Цыганов, И.А.
Гусейнов, Н.Р.
Кожантаева, А.С.
Узакбаева, Н.Н.
Шадиярбекова, А.Н.
Ерболаев, А.А.
Исаев, А.С.
Жумагулов, М.М.
Толеуханова, А.К.
10.
Подробнее
22.3
Э 45
Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
ББК 22.3
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.
Э 45
Электронные свойства тонких пленок As2s3 [Текст] / Б. Ш. Исабаев [и др.] // Вестник Казахского национального университета имени Аль-Фараби. - Алматы, 2018. - №1(64). - С. 32-38. - (Серия физическая)
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
размерный эффект -- тонкие аморфные халькогенидные пленки -- электропроводность -- оптическое поглощение -- оптическая запрещенная зона -- термические испарения -- вакуум -- энергия активации -- электронные переходы -- энергия
Аннотация: AS2S3В данной работе методом термического испарения в вакууме получены тонкие аморфные пленки As2S3. Исследованы температурные зависимости проводимости пленочных образцов. Установлено, что температурная зависимость проводимости σ(Т) пленочных образцов, в исследуемом интервале температур 300 – 440 K носит полупроводниковый характер и хорошо описывается экспоненциальной зависимостью вида σ = Сexp(-Eσ/kT). Из вычислений величин предэкспоненциального множителя С, выявлено, согласно теории Мотта, что с уменьшением толщины пленочных образцов, механизм проводимости по делокализованным состояниям сменяется на прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям в «хвостах» разрешенных зон, а затем на механизм проводимости путем прыжков носителей заряда по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Энергия активации проводимости Eσ пленочных образцов составляет примерно половину оптической ширины запрещенной зоны. Исследованы спектры оптического пропускания пленочных образцов. Установлено, что они имеют типичную для некристаллических полупроводников спектральную зависимость коэффициента пропускания Т в области края оптического пропускания, состоящую из области межзонных переходов, экспоненциального участка и области, связанной с поглощениями на различных структурных неоднородностях. Предполагается, что экспоненциальный край поглощения обусловлен электронными переходами между локализованными состояниями в хвостах зон, причем плотность состояний экспоненциально уменьшается с энергией.
Держатели документа:
ЗКГУ
Доп.точки доступа:
Исабаев, Б.Ш.
Алмасов, Н.Ж.
Алиакбарова, А.А.
Джолмашева, У.К.
Страница 1, Результатов: 24